[发明专利]成膜装置

说明书

本发明的目的在于提供具有简单地去除附着的反应生成物的构造的成膜装置。并且，本发明的成膜装置具备能够相对于喷雾头部(100)的底面拆除地设置的底板(21)。底板(21)在向喷雾头部(100)的底面安装时与原料溶液喷出口(15)、反应材料喷出口(16、17)以及惰性气体喷出口(192～194)对应的区域具有原料溶液用开口部(35)、反应材料用开口部(36、37)以及惰性气体用开口部(392～394)。

技术领域

本发明涉及在衬底上成膜的成膜装置。

背景技术

作为在衬底上成膜的方法，有化学气相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))法。然而，化学气相沉积法多需要在真空下进行成膜，除了真空泵等之外，有时还需要使用大型的真空容器。并且，关于化学气相沉积法，出于成本的观点等，存在作为被成膜的衬底难以采用大面积的衬底这样的问题。因此，能够在大气压下进行成膜处理的雾化法受到关注。

作为与利用雾化法的成膜装置等相关的现有技术，例如存在专利文献1所涉及的技术。

在专利文献1所涉及的技术中，从设置在包括喷雾用喷嘴等的喷雾头部的底面处的原料溶液喷出口以及反应材料喷出口，对在大气中配置的衬底喷射雾化后的原料溶液以及反应材料。通过该喷射，在衬底上形成规定的膜。另外，反应材料意指有助于与原料溶液发生反应的材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2013/038484号

发明内容

发明所要解决的课题

如上所述，使用以往的成膜装置的成膜处理是在获得使雾化后的原料溶液与反应材料发生反应而得的反应生成物之后，在大气中(大气压下)在衬底上形成规定膜的处理。因此，若长时间使用以往的成膜装置，则由于衬底加热所引起的上升气流，致使反应生成物逐渐向喷雾头部100的底面附着。为了去除附着的反应生成物，需要定期清洗喷雾头部的底面，存在清洗需要工时这一问题点。

本发明的目的在于解决上述那样的问题点，提供具有简单地去除附着的反应生成物的构造的成膜装置。

用于解决课题的手段

本发明的成膜装置是执行通过向大气中喷射雾化后的原料溶液来针对衬底成膜的成膜处理的成膜装置，其特征在于，具有：载置部，载置所述衬底；喷雾头部，与载置在所述载置部的所述衬底的上表面对置地设置，在底面具有原料溶液喷出口以及排气口，由所述原料溶液喷出口喷射所述原料溶液，从所述排气口进行排气处理；以及底板，能够拆除地设置在所述喷雾头部的底面，所述底板以不妨碍执行所述成膜处理的形态安装于所述喷雾头部的底面。

发明效果

技术方案1所记载的本申请发明的成膜装置通过在喷雾头部的底面设置能够拆除的底板，起到能够通过清洗底板来简单地去除附着在底板的反应生成物的效果。

进而，通过预先准备多个底板，在清洗多个底板中的一个底板期间利用清洗完毕的其他底板，从而起到能够在清洗底板的同时继续使用成膜装置的效果。

通过以下的详细说明与附图，本发明的目的、特征、方式以及优点变得更加明确。

附图说明

图1为表示本发明的实施方式1的成膜装置的喷雾头部的剖面图。

图2为表示图1的A－A剖面构造的剖面图。

图3为从底面侧观察实施方式1的喷雾头部的平面图。

图4为表示实施方式1的基底板部的外观构造等的说明图。

图5为表示本发明的实施方式2的成膜装置的喷雾头部的剖面图。