[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201580083958.4 | 申请日: | 2015-10-19 |
公开(公告)号: | CN108138319B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 白幡孝洋;织田容征 | 申请(专利权)人: | 东芝三菱电机产业系统株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
本发明的目的在于提供一种能够防止产生堵塞的、具有喷雾头部的构造的成膜装置。而且,本发明的成膜装置中的喷雾头部(100)在原料溶液喷射用喷嘴部(N1)、反应材料喷射用喷嘴部(N3)之间设有非活性气体喷射部(82),在原料溶液喷射用喷嘴部(N1)、反应材料喷射用喷嘴部(N2)之间设有非活性气体喷射部(83)。因此,非活性气体喷出口(192)设于原料溶液喷出口(15)与反应材料喷出口(17)之间,非活性气体喷出口(193)设于原料溶液喷出口(15)与反应材料喷出口(16)之间。
技术领域
本发明涉及在基板上成膜出膜的成膜装置。
背景技术
作为在基板上成膜出膜的方法,有化学气相沉积(CVD(Chemical VaporDeposition))法。然而,在化学气相沉积法中,需要进行真空下的成膜的情况变多,有时除了真空泵等之外还需要使用大型的真空容器。并且,在化学气相沉积法中,从成本的观点等出发,存在作为被成膜的基板难以采用大面积的基板这样的问题。对此,能够实现大气压下的成膜处理的雾化法受到关注。
作为与利用雾化法的成膜装置等相关的现有技术,例如存在专利文献1的技术。
在专利文献1的技术中,从在包含喷雾用喷嘴等的喷雾头部的底面设置的原料溶液喷出口及反应材料喷出口,对配置于大气中的基板喷射雾化后的原料溶液及反应材料。通过该喷射,在基板上成膜出规定膜。此外,反应材料指的是有助于与原料溶液之间的反应的材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2013/038484号
发明内容
发明要解决的课题
如上述那样,使用了以往的成膜装置进行的成膜处理是在获得使雾化后的原料溶液与反应材料反应而得的反应生成物之后在基板上形成规定膜的处理。因此,在以往的成膜装置中存在如下问题点:在成膜中反应生成物附着于喷雾头部的原料溶液喷出口附近及反应材料喷出口附近、上述喷出口产生堵塞。
在本发明中,目的在于提供一种成膜装置,其具有能够解决上述那种问题并能够防止产生堵塞的喷雾头部的构造。
用于解决课题的手段
本发明的成膜装置提供在大气中喷射雾化后的原料溶液,从而对基板成膜出膜,其特征在于,该成膜装置具备:载置部,供上述基板载置;以及喷雾头部,在底面具有原料溶液喷出口、反应材料喷出口及非活性气体喷出口,从上述原料溶液喷出口对载置于上述载置部的上述基板喷射上述原料溶液,从上述反应材料喷出口有助于与上述原料溶液进行反应的反应材料,从上述非活性气体喷出口喷射非活性气体,上述非活性气体喷出口设于上述原料溶液喷出口与上述反应材料喷出口之间。
发明效果
本发明的目的、特征、状况、以及优点通过以下的详细说明与附图而变得更清楚。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的成膜装置的喷雾头部的剖面图。
图2是表示图1的A-A剖面构造的剖面图。
图3是从底面侧观察实施方式1的喷雾头部的俯视图。
图4是表示实施方式1的底板部的外观构造等的说明图。
图5是表示本发明的实施方式2的成膜装置的喷雾头部的剖面图。
图6是表示图5的C-C剖面构造的剖面图。
图7是从底面侧观察实施方式2的喷雾头部的俯视图。
图8是表示实施方式2的底板部的外观构造等的说明图。
具体实施方式
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的