[发明专利]用于电磁辐射感测的检测器结构

说明书

技术领域

本申请总地涉及被配置用于电磁辐射感测的检测器结构，并且特别地但不排他地涉及x射线检测器结构。

背景技术

本节说明了有用的背景信息，而不承认此处所述的任何技术就代表现有技术。

图像传感器是将光学图像转换成电信号的装置。它已被广泛应用于各种成像设备。图像传感器的示例包括CMOS(互补金属氧化物半导体)传感器和CCD(电荷耦合器件)传感器。取决于图像传感器的特性，传感器例如可以被配置为在可见光波长上、在紫外或红外波长上、或在x射线波长上操作。

发明内容

在权利要求中阐述了本发明的示例的各个方面。

根据本发明的第一示例方面，提供了一种包括传感器结构的装置，所述传感器结构包括：

至少两个电磁辐射传感器单元，传感器单元包括作为电磁辐射吸收材料的石墨烯；和

至少两个传感器单元之间的电连接，其中，电连接至少部分地由石墨烯制成。

在示例实施例中，电连接完全由石墨烯制成。

在示例实施例中，装置包括由石墨烯制成的多个电连接和多个所述传感器单元。

在示例实施例中，传感器单元形成传感器单元行或传感器单元阵列。

在示例实施例中，传感器单元之间的电连接包括延伸到传感器单元中的石墨烯层。

在示例实施例中，所述传感器单元形成传感器单元行，并且所述传感器单元之间的电连接包括延伸穿过传感器单元行的传感器单元的石墨烯层。

在示例实施例中，传感器单元形成传感器单元行，并且传感器单元之间的电连接包括在传感器单元行的传感器单元之上延伸的石墨烯层。

在示例实施例中，传感器结构包括延伸穿过该结构的多个传感器单元的石墨烯层。

在示例实施例中，延伸穿过该结构的多个传感器单元的石墨烯层在传感器单元之间形成电连接。

在示例实施例中，传感器单元包括多个堆叠的电磁辐射感测单元，其中，每个感测单元包括由石墨烯制成的电磁辐射感测层。

在示例实施例中，传感器单元包括20-40个所述堆叠的电磁辐射感测单元，并且其中，每个感测单元中的电磁辐射感测层包括10-30个石墨烯层。

在示例实施例中，传感器单元是x射线传感器单元。

在示例实施例中，该装置是x射线检测器。

根据本发明的第二示例方面，提供了一种方法，包括：

在包括至少两个传感器单元的传感器结构的传感器单元中检测电磁辐射，该传感器单元包括作为电磁辐射吸收材料的石墨烯；和

通过至少部分由石墨烯制成的电连接递送去往和来自传感器单元的电信号。

在上文中已经说明了本发明的不同的非约束性的示例方面和实施例。上文中的实施例仅用于解释在本发明的实施中可使用的所选方面或步骤。一些实施例可以仅参考本发明的某些示例方面来呈现。应当理解，相应的实施例也可以应用于其他示例方面。

附图说明

为了更全面地了解本发明的示例实施例，现在参考结合附图做出的以下描述，其中：

图1示出根据本发明的示例实施例的传感器结构的俯视图；

图2A示出根据本发明的示例实施例的传感器结构的截面图；

图2B示出根据本发明的另一示例实施例的传感器结构的截面图；

图3示出示例传感器单元的俯视图；

图4A示出示例传感器单元的截面图；

图4B示出另一示例传感器单元的截面图。

图5A示出示例传感器单元的俯视图；

图5B示出具有行和列电极的示例传感器单元的俯视图；

图5C示出示例传感器单元的电路图；

图6A-图6D示出具有两个传感器单元的示例传感器结构的截面图；

图7示出图示根据本发明的示例实施例的方法的流程图；和

图8示出图示根据本发明的示例实施例的制造方法的流程图。

具体实施方式

通过参考图1至图8，可以理解本发明的示例实施例及其潜在的优点。在本文档中，相同的附图标记表示相同的部分或步骤。

图像传感器通常包括像素网格。每个像素的面积通常从1μm×1μm(一平方微米)至100μm×100μm。传感器单元覆盖一个像素的区域，并且将传感器单元组合成单元阵列以形成传感器。也可以使用单行的传感器单元。