[发明专利]用于电磁辐射感测的检测器结构在审
| 申请号： | 201580069216.6 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107112336A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | M·武帝莱南;M·劳瓦拉 | 申请（专利权）人： | 诺基亚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅,董典红 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电磁辐射 检测器 结构 | ||
1.一种装置，包括传感器结构，所述传感器结构包括：
至少两个电磁辐射传感器单元，所述传感器单元包括作为电磁辐射吸收材料的石墨烯；和
所述至少两个传感器单元之间的电连接，其中，所述电连接至少部分地由石墨烯制成。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电连接完全由石墨烯制成。
3.根据任一前述权利要求所述的装置，包括由石墨烯制成的多个所述电连接和多个所述传感器单元。
4.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器单元形成传感器单元行。
5.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器单元形成传感器单元阵列。
6.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器单元之间的所述电连接包括延伸到所述传感器单元中的石墨烯层。
7.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器单元形成传感器单元行，并且所述传感器单元之间的所述电连接包括延伸穿过所述传感器单元行的传感器单元的石墨烯层。
8.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器单元形成传感器单元行，并且所述传感器单元之间的所述电连接包括在所述传感器单元行的传感器单元上方延伸的石墨烯层。
9.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器结构包括延伸穿过所述结构的多个传感器单元的石墨烯层。
10.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，延伸穿过所述结构的多个传感器单元的石墨烯层形成在所述传感器单元之间的所述电连接。
11.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器单元包括多个堆叠的电磁辐射感测单元，其中，每个感测单元包括由石墨烯制成的电磁辐射感测层。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述传感器单元包括20-40个所述堆叠的电磁辐射感测单元，并且其中，每个感测单元中的所述电磁辐射感测层包括10-30个石墨烯层。
13.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述传感器单元是x射线传感器单元。
14.根据任一前述权利要求所述的装置，其中，所述装置是x射线检测器。
15.一种方法，包括：
在包括至少两个传感器单元的传感器结构的传感器单元中检测电磁辐射，所述传感器单元包括作为电磁辐射吸收材料的石墨烯；和
通过至少部分地由石墨烯制成的电连接递送去往和来自所述传感器单元的电信号。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
