[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，

所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，

在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述背面中的所述第III族元素的扩散表面浓度为5.0×10¹⁷atom/cm³以上且2.0×10¹⁹atom/cm³以下。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池，其中，所述第III族元素为硼、镓或者铝。

4.一种太阳能电池制造方法，其制造一种具备P型硅基板的太阳能电池，所述P型硅基板的一个主表面为受光面且另一个主表面为背面，所述方法的特征在于，具有以下步骤：

准备同样掺有镓的硅基板作为所述P型硅基板；

使第III族元素在所述背面扩散；

在所述受光面形成N型导电型层；及，

在所述背面上形成电介质膜。

5.如权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其中，利用一次热处理来进行所述第III族元素的扩散及所述N型导电型层的形成。