[发明专利]自动化图案保真度测量计划产生

说明书

本发明提供用于确定将对样品执行的计量过程的参数的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，所述一或多个计算机子系统经配置以用于基于针对所述样品的设计而自动产生将在对所述样品执行的计量过程期间利用所述测量子系统测量的所关注区域ROI。所述计算机子系统还经配置以用于分别基于针对所述样品的所述设计的位于所述ROI的第一子集及第二子集中的部分而自动确定在所述计量过程期间利用所述测量子系统在所述ROI的所述第一子集及所述第二子集中执行的测量的参数。在所述第一子集中执行的所述测量的所述参数是单独地且独立于在所述第二子集中执行的所述测量的所述参数而确定。

技术领域

本发明大体来说涉及自动化图案保真度测量计划产生。某些实施例涉及用于确定将对样品执行的计量过程的一或多个参数的方法及系统。

背景技术

以下说明及实例并非由于其包含于此章节中而被认为是现有技术。

在半导体制造过程期间在各个步骤处使用检验过程来检测晶片上的缺陷以促进在制造过程中的较高成品率且因此较高利润。检验始终是制作半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对可接受半导体装置的成功制造变得甚至更加重要，这是因为较小缺陷可导致装置出故障。

缺陷再检查通常涉及重新检测如通过检验过程检测的缺陷，且使用高放大率光学系统或扫描电子显微镜(SEM)而在较高分辨率下产生关于缺陷的额外信息。因此在其中已经通过检验而检测到缺陷的晶片上的离散位置处执行缺陷再检查。通过缺陷再检查产生的针对缺陷的较高分辨率数据更适用于确定缺陷的属性，例如轮廓、粗糙度、更准确大小信息等。由于缺陷再检查是针对通过检验在晶片上检测的缺陷而执行，因此可基于通过检验过程确定的缺陷的属性而确定用于所检测缺陷的位置处的缺陷再检查的参数。然而，通常不基于关于缺陷位置中或附近的设计部分的信息而确定用于所检测缺陷的位置处的缺陷再检查的输出获取参数(例如，光学、电子束等参数)，这是因为此类信息通常与在缺陷再检查期间针对所检测缺陷执行的输出获取功能不相关。

还在半导体制造过程期间的各个步骤处使用计量过程来监测并控制过程。计量过程与检验过程的不同之处在于：不同于其中检测晶片上的缺陷的检验过程，计量过程是用于测量使用当前所使用检验工具无法确定的晶片的一或多个特性。举例来说，计量过程用于测量晶片的例如在过程期间形成于晶片上的特征的尺寸(例如，线宽、厚度等)的一或多个特性，使得可依据所述一或多个特性来确定所述过程的性能。另外，如果晶片的一或多个特性是不可接受的(例如，超出特性的预定范围)，那么可使用对晶片的所述一或多个特性的测量来更改过程的一或多个参数，使得通过过程制造的额外晶片具有可接受特性。

计量过程与缺陷再检查过程的不同之处还在于：不同于其中在缺陷再检查中再次探访通过检验检测的缺陷的缺陷再检查过程，计量过程可在未检测到缺陷的位置处执行。换句话说，不同于缺陷再检查，对晶片执行计量过程的位置可独立于对晶片执行的检验过程的结果。特定来说，可独立于检验结果而选择执行计量过程的位置。另外，由于可独立于检验结果而选择执行计量的晶片上的位置，因此不同于其中无法确定将执行缺陷再检查的晶片上的位置直到产生针对晶片的检验结果且所述结果可供使用为止的缺陷再检查，执行计量过程的位置可在已经对晶片执行检验过程之前被确定。

用于设置计量过程的当前方法具有若干个缺点。举例来说，针对利用SEM的图案计量(包含(举例来说)临界尺寸(CD)及叠对测量)的常规配方设置需要关于将测量的位置的先前知识。另外，常规配方设置过程通常包含设计的使用。此外，如果发现用户期望测量一次的新所关注图案(POI)或在进行中基础上发现新所关注图案(POI)，那么需要对计量工具配方的更新。

因此，开发不具有上文描述的缺点中的一或多者的用于确定将对样品执行的计量过程的一或多个参数的系统及方法将是有利的。

发明内容

各种实施例的以下说明不应以任何方式解释为限制所附权利要求书的标的物。