[发明专利]结构体及其制造方法有效
申请号: | 201580046181.4 | 申请日: | 2015-09-01 |
公开(公告)号: | CN106664795B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 浅野雅朗;马渡宏;冈村崇史 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H05K1/11 | 分类号: | H05K1/11;H01L23/12;H01L23/32;H05K3/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明的目的在于提供一种不会使制造工序复杂化而能够将从导电材料中产生的气体成分等有效地排出到外部的结构体。本发明的结构体包括:绝缘性的基板,包括第一面以及与所述第一面对置的第二面;贯通孔,贯通所述基板的所述第一面以及所述第二面;以及贯通电极,配置于所述贯通孔内,用于使所述基板的所述第一面和所述第二面导通,具有从所述第二面向所述贯通孔外部露出的突出部,并且包含导电材料,所述贯通孔的至少一部分的开口面积在所述基板的厚度方向上随着接近所述第二面而逐渐变大,而具有用于在所述贯通孔与所述贯通电极之间形成间隙的凹陷部。
技术领域
本发明涉及结构体及其制造方法,尤其涉及设置贯通基板的正面和背面的通孔,并在该通孔内填充导电材料而形成的导电材料填充通孔基板及其制造方法。
背景技术
近年来,随着电子设备的高密度化、小型化的发展,大规模集成电路(Large ScaleIntegration,LSI)芯片缩小到与半导体封装件相同的程度,基于封装件内芯片二维配置的高密度化正在达到极限。于是,为了提高封装件内芯片的安装密度,需要将LSI芯片拆分并以三维方式层叠。另外,为了使层叠有LSI芯片的半导体封装件整体高速工作,需要拉近层叠电路之间的距离。
为此,为了满足上述要求,作为LSI芯片之间的插入件,提出了包括将基板的正面及背面导通的导通部(通孔,through hole)的贯通电极基板。这种贯通电极基板通过在贯通孔内部利用电解镀敷等来填充导电材料(Cu等),来形成贯通电极。
然而,在以往的贯通电极基板中,已确认存在如下现象,即:在制造工序的退火工序中产生的布线层的吹掉(消失)现象,或者在贯通孔内的绝缘层等中产生的浮起或破裂的现象。产生这些现象的原因在于当进行热处理时,导电材料所含的气体成分或水分会膨胀。
为了抑制在如上所述的贯通电极基板的退火工序中产生的布线层的吹掉现象或绝缘层的破裂现象等,提出了例如在专利文献1或专利文献2中所记载的结构。在专利文献1所记载的多层布线基板中,通过在设置于填充有导电材料的通孔导体的正上方的过孔区域(via island)中,设置以上下贯通的方式形成的开口部,来抑制当进行热处理时因在导电材料中所包含的气体成分或水分排出而导致的膨胀。另外,在专利文献2中所记载的印刷基板中,在覆盖填充在贯通孔内的树脂的密封部件的表面的导电膜中设置与外部环境气体连通的孔,使因回流时的加热而从密封部件排出的气体排出到外部环境气体。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1:日本特开2002-26520号公报
专利文献2:日本特开2000-252599号公报
发明内容
(发明所要解决的问题)
但是,在专利文献1中,由于还需要在设置于通孔导体的正上方的过孔区域中,设置上下贯通的开口部,因此制造工序变得复杂,难以进行精密加工。同样,在专利文献2中,由于还需要在覆盖填充在贯通孔内的树脂的密封部件的表面的导电膜中设置与外部环境气体相连通的孔,因此制造工序变得复杂,难以进行精密加工。
另外,由于根据专利文献1或专利文献2中所记载的方法的导电材料中所包含的气体成分或水分的外部排出量方面存在极限,因此要求能够更有效地消除在贯通电极基板的退火工序中产生的布线层的吹掉现象或绝缘层的破裂现象等的方法。
鉴于上述实际情况,本发明的目的在于提供一种不会导致制造工序的复杂化,能够将在进行热处理时从导电材料中产生的气体成分或水分更有效地排出到外部的导电材料填充通孔基板等的构造体。
(解决问题的方案)
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