[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对基板的两面进行处理的基板处理装置。

背景技术

近年来，为了实现电子设备的轻量化、薄型化等，在安装有电子部件的安装基板等中逐渐采用例如薄膜状的基板。

诸如薄膜状的基板这样的薄型基板与以前普遍采用的玻璃基板等相比，耐热性低。例如，在通过溅射法对薄型基板进行成膜的情况下，通过高能量的溅射粒子到达基板的表面，而使基板表面的温度上升。当基板表面的温度超过基板材料的容许温度时，有可能导致基板的变形等，因此在对薄型基板进行成膜的情况下，需要在不超过基板材料的容许温度的温度范围进行成膜。

另一方面，为了实现电路图案的高密度化等，有时进行两面成膜，即、在基板的两面进行成膜。此时，当同时在基板的两面进行成膜时，与单面成膜相比，基板温度容易上升，所以需要分成2次一面一面地进行成膜。

作为在基板的两面上一面一面地进行成膜的装置的一个例子，存在通过搬送机器人来改变基板的朝向的装置。例如，当搬送机器人完成对基板的一个成膜面的成膜时，使基板旋转，并搬入到对该基板的另一个成膜面进行成膜的成膜装置。具备搬送机器人的基板处理装置例如记载于专利文献1中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-58565号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在基板处理装置上设置搬送机器人等使基板旋转的旋转机构的情况下，旋转机构进行基板的旋转以及向多个基板处理室的搬送。由此，旋转机构的动作时间成为限制生产量的瓶颈。因此，在对基板的两面一面一面地形成薄膜的基板处理装置中，要求能进一步提高生产效率。另外，这样的课题不仅限于将薄型基板作为基板处理对象的装置，而且在需要冷却基板的基板处理装置中也是大致共通的。

本发明的目的在于提供一种能提高两面成膜的生产效率的基板处理装置。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式为基板处理装置。基板处理装置具备：溅射腔室；两个靶材，其设于所述溅射腔室内，用于通过溅射在基板的两个成膜面形成薄膜；以及搬送机构，其沿设于所述溅射腔室内的搬送路搬送基板，在所述两个靶材中的一个在所述基板的搬送方向的前级以与所述基板的两个成膜面中的一个相对的方式配置在所述搬送路的一侧，所述两个靶材中的另一个在所述基板的搬送方向的后级以与所述基板的两个成膜面中的另一个相对的方式配置在所述搬送路的另一侧。

根据上述构成，在溅射腔室中，首先通过配置于基板搬送方向的前级的一个靶材，在与该靶材相对的基板的一个成膜面形成薄膜。并且，通过配置于基板搬送方向的后级的另一个靶材，在与该靶材相对的基板的另一个成膜面形成薄膜。因此，由于不必使基板旋转也能一面一面地进行成膜，能提高两面成膜的生产效率。

优选地，在上述基板处理装置中，所述溅射腔室是在所述搬送方向的前级以及后级排列设置的第1溅射腔室以及第2溅射腔室中的一个，设于所述第1溅射腔室内的所述两个靶材以及设于所述第2溅射腔室内的所述两个靶材在所述搬送方向上配置在相互不同的位置，并且在所述搬送路的一侧以及另一侧交替地配置。

根据上述构成，由前级的第1溅射腔室的两个靶材以及后级的第2溅射腔室的两个靶材构成的4个靶材在搬送路的一侧以及另一侧交替地配置。因此，在对基板的两面进行2次成膜时，不必使基板旋转也能一面一面地进行成膜，因此能提高两面成膜的生产效率。

优选地，上述基板处理装置优选具备：逆溅射腔室，其用于通过在向所述溅射腔室搬送之前搬送所述基板，从而对所述基板的两个成膜面进行清洁化；两个偏压电极，其设于所述逆溅射腔室内，并施加偏压电压，所述两个偏压电极在所述搬送方向上的前级以及后级分开地配置，并且在所述搬送路的一侧以及另一侧分开地配置。

根据上述构成，在逆溅射腔室中，通过配置于搬送路的前级的偏压电极，从而正离子被引导至该偏压电极相反侧的成膜面，该成膜面被逆溅射。并且，通过配置于后级的偏压电极，偏压电极相反侧的成膜面被逆溅射。因此，不必使基板旋转也能一面一面地进行逆溅射，因此能提高两面成膜的生产效率。

优选地，上述基板处理装置具备：复路结构体，其包括所述溅射腔室；基板装配部，其配置于所述复路结构体的搬出口侧，并将所述基板装配在基板保持部；以及往路结构体，其将装配在所述基板保持部的所述基板从所述复路结构体的搬出口侧搬送至所述复路结构体的搬入口侧，所述往路结构体包括加热部，该加热部在预先设定的上限温度以下对所述基板进行加热。