[发明专利]基板处理装置在审

专利信息
申请号: 201580038441.3 申请日: 2015-07-23
公开(公告)号: CN106661722A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 藤长徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;岩井治宪 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B65G49/06;C23C14/56;H01L21/285;H01L21/677
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙)31239 代理人: 余文娟
地址: 日本国神奈川*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种基板处理装置,其具备:

溅射腔室;

两个靶材,其设于所述溅射腔室内,用于通过溅射在基板的两个成膜面上形成薄膜;以及

搬送机构,其沿设于所述溅射腔室内的搬送路搬送所述基板,

所述两个靶材中的一个在所述基板的搬送方向的前级上以与所述基板的两个成膜面中的一个相对的方式配置在所述搬送路的一侧,

所述两个靶材中的另一个在所述基板的搬送方向的后级上以与所述基板的两个成膜面中的另一个相对的方式配置在所述搬送路的另一侧。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,

所述溅射腔室是在所述搬送方向的前级以及后级排列设置的第1溅射腔室以及第2溅射腔室中的一个,

设于所述第1溅射腔室内的所述两个靶材以及设于所述第2溅射腔室内的所述两个靶材在所述搬送方向上配置在相互不同的位置,并且在所述搬送路的一侧以及另一侧交替地配置。

3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,具备:

逆溅射腔室,其用于通过在向所述溅射腔室的搬送之前搬送所述基板,从而对所述基板的两个成膜面进行清洁化;以及

两个偏压电极,其设于所述逆溅射腔室内,并施加偏压电压,

所述两个偏压电极在所述搬送方向的前级以及后级分开地配置,并且在所述搬送路的一侧以及另一侧分开地配置。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的基板处理装置,具备:

复路结构体,其包括所述溅射腔室;

基板装配部,其配置于所述复路结构体的搬出口侧,并将所述基板装配在基板保持部;以及

往路结构体,其将装配在所述基板保持部的所述基板从所述复路结构体的搬出口侧搬送至所述复路结构体的搬入口侧,

所述往路结构体包括加热部,该加热部在预先设定的上限温度以下对所述基板进行加热。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,

所述搬送机构具备控制装置,该控制装置控制所述基板向所述往路结构体的搬送和所述基板从所述往路结构体向所述复路结构体的搬送,

所述控制装置与从所述复路结构体的所述基板的搬出相对应地,进行成膜前的所述基板从所述往路结构体向所述复路结构体的搬入。

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