[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201580037403.6 申请日: 2015-04-23
公开(公告)号: CN106664035B 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 原田高明 申请(专利权)人: 东芝三菱电机产业系统株式会社
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48;H01L23/467;H05K7/20
代理公司: 31100 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 俞丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

不间断电源装置(1)具备:盘形状的壳体(CH);从壳体(CH)的顶面排气并且设置于顶面的冷却风扇(7);将冷却风扇(7)下的空间沿着垂直方向分隔为第1空间和第2空间并具有使冷却风扇(7)产生的冷却风从第1空间穿过到第2空间的开口部(K1~K4)的分隔板(BD);被冷却风冷却的沿着垂直方向配置于第1空间的半导体单元(2~5);安装于分隔板(BD)的开口部(K1~K4)中的至少一个上并且限制冷却风的风速的狭缝板(SL1、SL2)。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

一般,已知有由收纳半导体的半导体单元构成的半导体装置。半导体装置具备用于冷却半导体的冷却结构。

例如,公开了在以可从风洞内抽出的方式将半导体单元多级层叠并在风洞上部安装强制风冷用风扇的冷却装置中,设置对应于各半导体单元的抽出而将抽出后的空间封闭的挡板的技术(参照专利文献1)。

但是,在沿着垂直方向配置半导体单元,由冷却扇将冷却风从上部排出的半导体装置的情况下,对各级的半导体单元进行冷却的冷却风产生风速差。因而,各半导体单元的冷却效果产生偏差,半导体装置整体的冷却效率劣化。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利特开平4-217353号公报

发明内容

本发明的目的是提供一种减小流经沿着垂直方向配置的各半导体单元的冷却风的风速差的半导体装置。

按照本发明的观点的半导体装置,具备:盘形状的壳体;冷却扇,该冷却扇从上述壳体的顶面排气并且设置于所述顶面;分隔板,该分隔板将所述冷却扇下的空间沿着垂直方向分隔为第1空间和第2空间,并具有使由所述冷却扇产生的冷却风从所述第1空间穿过到所述第2空间的多个开口部;多个半导体单元,该多个半导体单元由所述冷却风冷却并沿着垂直方向配置于所述第1空间;以及狭缝板,该狭缝板安装于所述分隔板的所述多个开口部中的至少一个上并且限制所述冷却风的风速。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的不间断电源装置的结构的侧剖视图。

图2是表示本实施方式所涉及的不间断电源装置的电气电路的电路图。

图3是表示本实施方式所涉及的在分隔板上设置了狭缝板后的外形的外形图。

图4是表示本实施方式所涉及的开口率50%的狭缝板的外形图。

图5是表示本实施方式所涉及的开口率70%的狭缝板的外形图。

图6是表示流经本实施方式所涉及的不间断电源装置的冷却风在无狭缝板状态下的风速模拟结果的风速分布图。

图7是表示流经本实施方式所涉及的不间断电源装置的冷却风在有狭缝板状态下的风速模拟结果的风速分布图。

具体实施方式

(实施方式)

图1是表示本发明的实施方式所涉及的不间断电源装置1的结构的侧剖视图。图2是表示本实施方式所涉及的不间断电源装置1的电气电路的电路图。另外,这里说明了不间断电源装置,但也可以是任何使用需要冷却的半导体的半导体装置。另外,图面中的同一部分标注同一标号,省略其详细说明,主要对不同的部分进行说明。

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