[发明专利]二氧化硅膜、光学构件及偏振构件有效

专利信息
申请号: 201580036067.3 申请日: 2015-06-30
公开(公告)号: CN106662672B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 小堀重人 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02B1/113 分类号: G02B1/113;G02B5/30
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;杨莘
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 二氧化硅 光学 构件 偏振
【权利要求书】:

1.一种光学元件,包括:

基底;以及

二氧化硅膜,设置在所述基底上,

其中所述二氧化硅膜具有第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面彼此相反,

所述二氧化硅膜包括二氧化硅和分布于所述二氧化硅中的氟化中空二氧化硅颗粒,

所述氟化中空二氧化硅颗粒非均匀分布并且朝向所述第一表面浓度越大,以及

所述二氧化硅膜的第一表面具有凹凸结构。

2.根据权利要求1所述的光学元件,其中所述二氧化硅膜还包括反应性硅化合物。

3.根据权利要求1所述的光学元件,其中所述二氧化硅膜的其中所述氟化中空二氧化硅颗粒集中的区域是低折射率层,除所述氟化中空二氧化硅颗粒集中的区域以外的区域是硬质涂层。

4.根据权利要求1所述的光学元件,其中所述氟化中空二氧化硅颗粒是使氟官能团引入羟基基团的一部分中的中空二氧化硅颗粒,所述羟基基团存在于所述中空二氧化硅颗粒的表面上。

5.根据权利要求4所述的光学元件,其中所述氟官能团包括选自(全)氟烷基基团和(全)氟聚醚基团的至少一种。

6.根据权利要求1所述的光学元件,其中在展示所述氟化中空二氧化硅颗粒的颗粒分布的频率-粒径曲线中,所述氟化中空二氧化硅颗粒具有多个相对最大值点。

7.根据权利要求1所述的光学元件,其中3690cm-1的所述氟化中空二氧化硅颗粒的整体强度是0.5或更低。

8.根据权利要求1所述的光学元件,其中所述第一表面的算术平均粗糙度(Ra)是10nm或更高。

9.根据权利要求1所述的光学元件,其中所述基底是用于使光偏振的偏振器件。

10.根据权利要求1所述的光学元件,其中所述二氧化硅膜由用于形成二氧化硅膜的涂覆溶液形成,所述涂覆溶液包括:

聚硅氮烷或者聚硅氮烷与反应性硅化合物的混合物;

氟化中空二氧化硅颗粒;以及

溶剂,使所述聚硅氮烷和所述氟化中空二氧化硅颗粒分散。

11.根据权利要求10所述的光学元件,其中所述聚硅氮烷和所述氟化中空二氧化硅颗粒的重量比在94:6到98:2范围内。

12.根据权利要求10所述的光学元件,其中所述溶剂是疏水非极性有机溶剂。

13.一种显示装置,包括:

显示器件,上面显示图像;以及

光学元件,设置在所述显示器件的表面上,

其中所述光学元件是根据权利要求1至12中任何一项所述的光学元件。

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