[发明专利]用于基于动态的字线的三维存储器装置的配置的方法和系统

说明书

存储器控制器以第一配置来配置与3D存储器装置的各个块相关联的多个字线，其中所述第一配置包括至少部分基于每个字线相对于所述3D存储器装置的衬底的垂直位置而确定的用于所述多个字线的每个字线的一组配置参数，并且当所述多个字线配置在所述第一配置中时，将数据写入所述各个块并且从所述各个块读取数据。对于所述各个块，存储器控制器：响应于针对所述各个字线检测到第一触发条件，调整对应于所述多个字线的各个字线的各个组的配置参数中的第一参数，并且，在检测所述第一参数之后，将数据写入到所述各个字线并且从所述各个字线读取数据。

技术领域

公开的实施例一般地涉及存储器系统，并且具体地涉及改善用其保留数据的储存装置(例如，三维(3D)存储器装置)的可靠性。

背景技术

非易失性数据储存装置已经实现了数据和软件应用的增加的便携性。例如，与单级单元(SLC)闪速存储器装置相比，闪速存储器装置的多级单元(MLC)存储元件的每个可以存储多位数据，增强数据存储密度。因此，闪速存储器装置使得用户能够存储和访问大量的数据。随着每个单元存储的位的数量增加，储存的数据中的位的误差通常增加。数据储存装置可以使用误差校正码(ECC)技术来编码和译码数据，以校正数据中的某些位的误差。ECC技术可以利用减少用于诸如用户数据的其他信息的数据储存容量的奇偶校验信息。

为了进一步增加数据储存容量，存储器装置技术的进步已经产生具有三维(3D)配置的存储器装置。例如，3D存储器装置包括垂直地堆叠的并且位于多个垂直堆叠层的不同的层(例如，不同的级)中的多个存储器单元。垂直堆叠的一组存储器单元可以与导电沟道耦接。在3D储存装置的制造期间，可以通过多个垂直堆叠层产生孔，以使得能够形成导电沟道。然而，随着孔延伸的层的数量增加，控制孔的形成变得困难。例如，孔的形状可以不是穿过所有多个层的圆柱形；相反，孔可以具有穿过多个层中的一个或多个的锥形形状。为了说明，穿过多个层的孔的横截面可以具有圆锥形的形状或漏斗形的形状。当孔不具有穿过所有多个层的一致的形状(例如，一致的直径)时，可能影响一个或多个存储器单元的物理尺寸，这可能导致那些存储器单元的性能降低。

发明内容

在一些实施例中，存储器控制器被配置为用储存装置或在储存装置(例如，3D存储器装置)上进行操作。在一些实施例中，存储器控制器在检测触发条件之后动态地调整与储存装置的各个字线相关联的一个或多个配置参数(例如，ECC编码强度、编程参数、和/或储存密度)。触发条件可选地基于各个字线的一个或多个状态度量(例如，在各个字线上进行的编程-擦除(PE)周期的计数、写入到各个字线的字节的数量和用于从各个字线的页读取的数据的误码率(BER)或其组合)。

附图说明

使得本公开可以被更加详细地理解，可以通过参考各种实现方式的特征而获得具体的说明，其中的一些在附图中示出。但是，附图仅示出本公开的更加显著的特征并且因此不应被认为是限度性的，因为该说明可能具有其它有效特征。

图1是示出根据一些实施例的数据储存系统的实现方式的框图。

图2A是示出根据一些实施例的管理模块的实现方式的框图。

图2B是示出根据一些实施例的包括在图2A中的特性向量表的示意图。

图2C是示出根据一些实施例的包括在图2B中的代表性特征向量的示意图。

图3A是根据一些实施例的在单级闪速存储器储器单元(SLC)中发现的随时间的电压分布的预测图。

图3B是根据一些实施例的在多级闪速存储器单元(MLC)中发现的随时间的电压分布的预测图。

图4A是根据一些实施例的三维(3D)存储器装置的列的示意图。

图4B是根据一些实施例的图4A中的列的一部分的示意图。

图5是根据一些实施例的3D存储器装置的块的示意图。