[实用新型]清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件制造领域，尤其涉及清洗装置。

背景技术

在集成电路以及超大集成电路制造工艺中，光刻步骤一般是将光刻胶涂 抹在玻璃片或金属膜上，然后进行烘烤，曝光，显影后得到所需要的有抗蚀 剂保护的图形。接着进行刻蚀工艺，将图形转移到晶圆表面上，然后将覆盖 在晶圆上的保护膜除去。

通常，在制造半导体器件的工艺中使用十几次光刻工艺，它包括去掉光 刻胶掩膜版没有掩盖部分的光刻胶，在半导体衬底的传导层上形成光刻图形， 然后刻蚀掉传导层上光刻胶图形没有掩盖的部分，从而形成传导层的图形， 在传导层图形形成后，光刻胶图形必须用光刻胶剥离剂从传导层去除。有专 门的清洗装置来去除光刻胶基板上的光刻胶，如图1所示，在清洗装置中设 置有多个供液槽10，以及多个与供液槽10相连接的剥离槽20，其中，剥离 槽上还设置有喷嘴(图中未示出)，用来将光刻胶剥离液喷到基板上，以清 洗基板上的光刻胶，供液槽10用来存储光刻胶剥离液。供液槽10与剥离槽 20之间设置有第一管路30，第一管路30上设置有第一泵体50，用于将供液 槽10中的液体输送至剥离槽20，同时剥离槽20上还设置有回收装置，清洗 过光刻胶的光刻胶剥离液通过回收装置将基板上流下来的液体回收到供液槽 10中。此外供液槽10还设置有出液口、与回收装置对应的回收口和进液口， 在清洗供液槽10或者为供液槽10更换光刻胶剥离液时，设置于第二管路40 上的第二泵体60将水或者光刻胶剥离液输送至供液槽。

现有技术的清洗装置，由于在前的供液槽10最先剥离光刻胶，大部分 剥离的光刻胶都在靠前的供液槽10中，以致多个供液槽10中的光刻胶剥 离液浑浊度由前到后依次递减，在需要换液时为了节省药液和清洗供液槽 10，需顺序将后一个供液槽10中的液体排到前一个供液槽10中，例如， 将第四个供液槽10中的液体排到第三个供液槽10，第三个供液槽10的液 体排到第二个供液槽10，第二个供液槽10的液体排到第一个供液槽10， 因此液体更换过程中，每个供液槽10设置一个第二泵体60，从而才能将 后一个供液槽10的液体排入前一个供液槽10中。这种方式，需要为每个 供液槽10单独设置第二泵体60，从而提高了生产成本。

实用新型内容

本实用新型提供清洗装置，以克服现有技术中需要为每个供液槽单独设 置泵，从而提高了生产成本的技术问题。

本实用新型提供清洗装置，包括多个供液槽、多个剥离槽、第一管路、 第二管路、第一泵体和第二泵体，

多个所述供液槽的设置位置依次升高，所述剥离槽与所述供液槽的数量 相等，所述供液槽由低到高与沿工序方向排布的多个所述剥离槽一一对应；

所述第一管路的一端与所述供液槽连通，另一端与所述剥离槽连通，所 述第一泵体设置在所述第一管路上；

所述第二管路设置于相邻两供液槽之间，且所述第二管路的一端与所述 位置较高的供液槽连通，另一端与位置较低的供液槽连通；

所述第二管路上设置有阀门，位置最高的所述供液槽的进液口与所述第 二泵体连接。

优选地，所述供液槽设置有进液口、第一出液口和第二出液口，所述第 一出液口与所述第一管路连接，相邻两个所述供液槽中高度较低的一个所述 供液槽的进液口与高度较高的所述供液槽的第二出液口通过第二管路连接。

优选地，所述第一出液口的高度不高于所述第二出液口的高度。

优选地，所述进液口设置于所述供液槽的上部。

优选地，所述第一管路与所述第二管路连接，且所述第一管路与所述第 二管路的连接处，位于相邻两个所述供液槽中位置较高的所述供液槽与阀门 之间。

优选地，所述供液槽的底部设置有能够开闭的第三出液口。

优选地，所述供液槽上还设置有与所述第三出液口相匹配的阀门。

优选地，在所述第一管路上还设置有过滤器。

优选地，所述阀门为自动阀门。

优选地，所述供液槽上还设置有液位传感器。