[实用新型]一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于2英寸芯片光刻胶剥离的花篮，属于半导体芯片界面清洗处理技术领域。

背景技术

半导体芯片制备工艺过程中采用光刻胶做掩膜进行ICP、PECVD、蒸镀金属等工艺比较普遍，一般ICP、PECVD、蒸镀金属后会采用均匀单卡槽的花篮装置芯片，为提高生产效率卡槽的间隔一般较小。这样就会导致芯片之间的间隔小，超声或是清洗处理时，芯片上的光刻胶及光刻胶上需剥离掉的薄膜没有足够的空间从芯片上脱落下来，导致光刻胶剥离不完全情况；或是光刻胶及光刻胶上需剥离掉的薄膜脱落下来，但是导致片内或片间的污染。尤其是在用光刻胶作为掩膜蒸镀粘连性很强的金属，例如Ni、Ti、Au等金属薄膜，其光刻胶是密集长尺寸一体工艺，其在完成镀膜后的光刻胶剥离工艺时，如果采用空间不足或是夹片位置不正确的花篮时，剥离下来的金属丝会在片间有限空间的试剂溶液中缠绕漂荡，经常会导致非剥离金属界面的污染、划蹭、金属丝粘连等问题。

中国专利文献CN203932013公开了一种用于半导体湿法清洗的装置，包括底部支撑单元、有机化学液替代遮挡单元、氮气鼓泡单元。所述底部支撑单元与花篮定位单元通过不锈钢螺钉紧密连接在一起，然后将有机化学液替代遮挡单元通过定位杆与底部支撑单元结合在一起，最后在底部支撑单元下面放置氮气鼓泡单元达到均匀有机化学液浓度的目的。该装置可以有效的降低有机化学液的使用量，并且不会对有机化学液的特性和均匀性产生影响，从而影响原产品作业时的质量。

中国专利文献CN203787400公开了一种半导体晶片清洗花篮，包括晶片陈放架和两个对称设置在晶片陈放架两侧的组合挡板。该半导体晶片清洗花篮具有晶片篮静止、清洗液流动，避免晶片清洗过程损坏，节约成本，可保证清洗效果的优点。

中国专利文献CN202905677公开了一种晶体硅太阳能电池片用花篮，包括位于左右两侧的端板，在两侧端板之间设有齿状导杆及活动压杆，硅片通过齿状导杆及活动压杆排列在两侧端板之间，在每侧端板上设有一提勾。其具有以下优点：快速脱水，提高生产效率；对液体流动阻挡面积更小，流场分布更均匀等。

以上技术所涉及的装置中芯片卡槽单个循环，如果适用于光刻胶超声剥离工步需要设置长间隔，其利用率低，生产效率也低；或其装置夹片位置影响超声效果，并不适用于光刻胶的超声剥离。

实用新型内容

本实用新型针对现有芯片上的光刻胶剥离技术存在的污染、划蹭、剥离不净等不足，提供一种2英寸芯片光刻胶剥离用花篮，该花篮在超声剥离时保证足够液体流动空间的同时，防止剥离下来的薄膜丝在芯片间有限空间的试剂溶液中缠绕漂荡而导致芯片界面污染、划蹭，同时还提高了超声剥离的生产效率。

本实用新型的2英寸芯片光刻胶剥离用花篮，采用以下技术方案：

该花篮，包括花篮本体、卡槽单元和支架单元，花篮本体上设置有卡槽单元，每个卡槽单元设置有两个沟槽，两个沟槽之间设置有将其隔开的挡板；花篮本体的底部设置有支撑柱；花篮本体上设置有支架单元。

花篮本体呈长方体。

所述卡槽单元在花篮本体上平行均匀设置。

所述相邻卡槽单元的间距为1.5cm。

所述支撑柱为圆柱体。

所述挡板呈扇形，其上分布有孔洞。

所述支架单元由连接在一起的把手和侧架组成。所述侧架呈三角形。所述把手呈门型。

放置在两个沟槽内的两个光刻胶剥离芯片的剥离面相背，并由挡板将两个芯片隔开，在超声清洗时可以杜绝两个芯片贴在一起，污染非光刻胶剥离界面，防止取片时导致碎片及划蹭。

本实用新型采用在花篮本体上设置定间隔周期循环挡板隔离双卡槽沟槽，可以有效提高芯片光刻胶剥离面液体流动空间，防止剥离下来的薄膜丝在片间有限空间的试剂溶液中缠绕漂荡而导致出现芯片界面污染、划蹭等问题，同时大大降低了剥离不净的质量问题，有效提高超声剥离效果。在保证生产效率的前提下，提高了光刻胶剥离质量。

附图说明

图1是本实用新型2英寸芯片光刻胶剥离用花篮的结构示意图。

图2是图1的俯视图

图3是图1的左视图

图4是本实用新型中卡槽单元的结构示意图。

图5是卡槽单元中挡板的结构示意图。

图中：1、支架单元，1-1、把手，1-2、侧架，1-3、支撑点，2、卡槽单元，2-1、挡板，2-2、沟槽，3、花篮本体，2-1-1、孔洞，2-1-2、扇面。

具体实施方式