[实用新型]用于硅片的湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201520939632.4 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN205092226U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈五奎;刘强;耿荣军;冯加保;徐文州 | 申请（专利权）人： | 乐山新天源太阳能科技有限公司;深圳市拓日新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18;C23F1/08 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 614000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 硅片 湿法 刻蚀 设备 | ||
1.用于硅片的湿法刻蚀设备，包括机体(1)，所述机体(1)上设置有用于输送硅片的输送滚轮(2)，在输送滚轮(2)的下方沿硅片的移动方向依次设置有刻蚀槽(3)、碱洗槽(4)、清洗槽(5)、干燥槽(6)，所述干燥槽(6)内设置有多个气刀发生装置(19)，多个气刀发生装置(19)分别设置在硅片的上下两侧，所述气刀发生装置(19)包括喷管(191)，所述喷管(191)的两端密封，所述喷管(191)水平设置且垂直于硅片的移动方向，所述喷管(191)朝向硅片的表面沿轴向方向开有气刀缝隙(192)，所述喷管(191)上连接有进气管(193)，进气管(193)的另一端连接有空气压缩机(194)，所述空气压缩机(194)与进气管(193)之间设置有气体加热装置(195)，其特征在于：所述进气管(193)与喷管(191)之间设置有多个具有锥形夹层空间的锥形布气板(196)，所述锥形夹层空间的小径端与进气管(193)连通，所述锥形夹层空间的大径端与喷管(191)连通，所述多个锥形布气板(196)的大径端依次首尾相连固定在喷管(191)上。
2.如权利要求1所述的用于硅片的湿法刻蚀设备，其特征在于：所述气体加热装置(195)包括柱状基体(1951)，所述柱状基体(1951)内设置有圆柱形的气体加热空腔(1952)，所述柱状基体(1951)上设置有与气体加热空腔(1952)连通的进气口与出气口，所述进气口通过气管与空气压缩机(194)的出口连通，所述出气口与进气管(193)连通，所述柱状基体(1951)的表面缠绕有加热丝(1953)，所述加热丝(1953)连接在电源(1954)上。
3.如权利要求2所述的用于硅片的湿法刻蚀设备，其特征在于：所述加热丝(1953)与电源(1954)之间设置有温控表(1955)，所述气体加热空腔(1952)内设置有热电偶温度计(1956)，所述热电偶温度计(1956)与温控表(1955)相连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
