[实用新型]化学机械式磨光装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及化学机械式磨光装置及，尤其是涉及在化学机械式磨光工程中，利用涡电流传感器可正确地测定晶片的边缘厚度的化学机械式磨光装置。

背景技术

一般化学机械式磨光(ChemicalMechanicalPolishing：CMP)工程是在旋转的磨光平台上以晶片等基板所接触的状态旋转，使得执行机械式的磨光且将基板的表面做成平坦，达到预定的厚度的工程。

为此，如图1及图2示出，化学机械式磨光设备1是将磨光垫片11覆盖在磨光平台12上的状态自转，并用导轮头部20将晶片W加压至磨光垫片11的表面并旋转，使晶片W的表面磨光成平坦。为此，具备做旋转30r和旋回运动30d进行改进的调节器30，使磨光垫片11的表面维持一定的状态，且通过料浆供给单元40供给在磨光垫片11的表面执行化学式磨光的料浆。并且，导轮头部20将晶片W位于低面的状态加压并旋转20d。

一方面，经化学机械式磨光工程磨光的晶片W的膜厚度要正确地被调整。为此，按照韩国公开专利公告第2001-93678号等公开的现有技术，当晶片W的磨光层是由金属材料形成的导电层时，以涡电流传感器50固定在磨光垫片11的状态下，与磨光平台10一起涡电流传感器50进行旋转50r，并接近导电层在涡电流传感器50的传感器线圈外加交流电流，从涡电流传感器50将涡电流信号外加到晶片导电层，且在涡电流传感器50接收包括导电层的电抗成分和电阻成分的接收信号，使用从合成阻抗的变化量检测导电层的层厚度变化的构成。

在这种情况下，从涡电流传感器50将涡电流信号外加到晶片的导电层，由外加的涡电流信号在导电层形成磁场，且形成在导电层的磁场受到导电层的厚度变化影响，包括电抗成分和电阻成分等的输出信号作为接收信号由涡电流传感器50接收。在这种情况下，形成在导电层的磁场离涡电流传感器50的位置越远则越小，不影响接收信号，且越接近涡电流传感器50的位置，越影响接收信号。据此，以涡电流传感器50为中心，相当于涡电流传感器50直径数倍的磁场领域形成影响涡电流传感器50的接收信号的有效信号领域50E。

因此，当涡电流传感器50在离晶片W的边缘被充分隔离的位置A1时，涡电流传感器50的有效信号领域50E都是在晶片导电层形成的正常领域E1，所以从晶片W接收的接收信号Sol如图4a所示，经整个领域(-50E/2～50E/2)被正常地接收，所以从涡电流传感器50所接收的接收信号Sol可正确地感知晶片导电层的厚度。

但是，当涡电流传感器50在晶片W的边缘附近的位置A2时，涡电流传感器50的有效信号领域50E中的一部分是形成在晶片导电层的正常领域E1，但是其他一部分是形成在晶片导电层外部的脱离领域，所以从晶片W接收的接收信号Sol如图4b所示，仅在一部分正常领域E1正常的接收，在导电层外部的脱离领域E2无法形成磁场，发生无法接收的现象。由此，涡电流传感器50在位于晶片边缘的状态，以接收的接收信号Sol感知到晶片导电层的厚度时，在有效信号领域50E中，以由脱离领域E2的空信号被歪曲的接收数据测定导电层厚度，因此具有不可正确地感知在晶片边缘的磨光层厚度的问题。

实用新型内容

技术课题

本实用新型是为了解决所述相同的问题，以在化学机械式磨光工程中的晶片边缘也能正确地感知导电层厚度为目的。

据此，本实用新型的目的在于，对于晶片的边缘也能正确地控制磨光厚度，从而在晶片边缘也可制作正常的半导体组件提高生产性。

技术方案

本实用新型为了达成上述的目的提供了一种晶片化学机械式磨光装置，其特征在于，所述化学机械式磨光装置包括：磨光平台，上面覆盖有磨光垫片，且自转；导轮头部，位于晶片W的上方，将所述晶片加压至所述磨光垫片，并旋转；驱动单元，连接到磨光平台，并使磨光平台旋转；涡电流传感器，固定于所述磨光平台，与所述磨光平台一起旋转，并产生涡电流且接收第一接收信号；旋转位置感知单元，连接到驱动单元，并感知固定在所述磨光平台的所述涡电流传感器的旋转位置；和控制单元，连接到旋转位置感知单元，并且当所述涡电流传感器通过所述晶片的下侧，从接收的第一接收信号感知到所述晶片导电层厚度，以及经所述旋转位置感知单元，感知到所述涡电流传感器通过所述晶片的边缘时，所述控制单元将所述涡电流传感器位于所述晶片的边缘期间接收的第一接收信号进行修正，以修正所述导电层的厚度。