[实用新型]一种34mmIGBT模块

说明书

技术领域

一种34mmIGBT模块，属于半导体技术领域。

背景技术

34mm的IGBT模块为半导体领域常见规格的IGBT模块，产品广泛应用于焊机，变频器，UPS等领域。在IGBT模块生产时，IGBT芯片是通过焊锡膏焊接在基板上的，在焊接时焊锡膏容易外溢，如果外溢的焊锡膏流到其他元件或接线区时则会造成断路，使IGBT模块失效。为避免焊锡膏外溢出现短路，常规的解决方法是在早期进行基板设计时将各IGBT芯片焊接区之间的距离增大，避免焊锡膏外溢至其他区域。但是将各IGBT芯片焊接区之间的距离增大势必会造成基板的规划不合理，导致基板空间利用率较低，在目前国产IGBT芯片中，相同性能的IGBT芯片与国外芯片相比，尺寸要大出20%。因此在相同尺寸的基板上做出的IGBT芯片在一些高电压、大电流时就不能满足封装要求，因此造成了IGBT芯片生产工艺的落后。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种利用规划线对基板区域进行合理规划，增大芯片的焊接面积，使基板利用率更高，同时在基板上设置阻焊层，有效避免焊接时焊锡膏外溢至其他区域内的34mmIGBT模块。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：该34mmIGBT模块，包括基板，其特征在于：在基板的上、下两端通过规划线设置有两规划区，在上规划区内设置有用于接线的接线区，在上规划区与下规划区之间设置有中部芯片焊接区，在下规划区内设置有底部芯片焊接区，在上规划区内设置有接线区阻焊层，在下规划区内设置有焊接区阻焊层。

优选的，所述的上规划区为矩形，位于基板竖向中心线的左侧，接线区位于上规划区的上部，接线区阻焊层横向设置在接线区的下部。

优选的，所述的下规划区为一横向设置的狭长区域，由左、右两区域连接组成，其中右侧矩形区域竖向的宽度宽于左侧矩形区域的宽度；焊接区阻焊层包括设置在底部芯片焊接区外部的焊接区第一阻焊层和焊接区第二阻焊层。

优选的，所述的焊接区第二阻焊层竖向设置在底部芯片焊接区的左端面，焊接区第一阻焊层为弯折状，设置在底部芯片焊接区的上端面和右端面处。

优选的，所述的底部芯片焊接区为矩形，位于基板竖向中心线的右侧。

优选的，所述的中部芯片焊接区为第一芯片焊接区和第二芯片焊接区，第一芯片焊接区和第二芯片焊接区均为竖向设置的矩形区域，第一芯片焊接区和第二芯片焊接区交错设置。

优选的，所述的第二芯片焊接区高于第一芯片焊接区，上规划区位于第一芯片焊接区上方。

与现有技术相比，本实用新型所具有的有益效果是：

1、由于在基板上的相应位置上设置有阻焊层，因此在进行芯片焊接区域的规划时，可以适当将各区域设计的更为紧凑，因此使得可以更为合理的对基板整个区域进行设计，提高了基板面积的利用率，因此可以在相同面积的基板上排布更多的芯片或功率更大的芯片，在一定程度上减小了整个IGBT模块的体积，提高了IGBT芯片的生产工艺水平。

2、本34mmIGBT模块的阻焊层设置思路同样适用于其他规划的34mmIGBT模块以及其他规格的IGBT模块的生产。

附图说明

图1为34mmIGBT模块结构示意图。

其中：1、基板2、接线区3、接线区阻焊层4、第一芯片焊接区5、第二芯片焊接区6、焊接区第一阻焊层7、底部芯片焊接区8、焊接区第二阻焊层。

具体实施方式

图1是本实用新型的最佳实施例，下面结合附图1对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，一种34mmIGBT模块包括基板1，在基板1的上方通过规划线规划有一矩形区域，该矩形区域位于基板1竖向中心线的左侧，在该矩形区域的上方为接线区2。在基板1的底部通过规划线规划有一横向设置的狭长区域，该狭长区域由左、右两区域连接组成，其中右侧矩形区域的竖向宽度宽于左侧矩形区域的宽度。在左、右两区域的交接处设置有底部芯片焊接区7，底部芯片焊接区7位于基板1竖向中心线的右侧。

在上述的接线区2的下方横向设置有接线区阻焊层3，在底部芯片焊接区7的左端面上竖向设置有焊接区第二阻焊层8，在底部芯片焊接区7的上端面和右端面设置有弯折状的焊接区第一阻焊层6，通过焊接区第一阻焊层6和焊接区第二阻焊层8以及相对应的基板1的规划线将底部芯片焊接区7包裹在其内。