[实用新型]单晶炉投料装置

说明书

技术领域：

本实用新型属于硅单晶制造技术领域，具体地说涉及一种单晶炉投料装置。

背景技术

目前，由于原有的复投装置生产效率低，一次投料量有限，需要进行多次投料，在复投前一般做法是将原料砸碎进行筛选原料粒径较小的原料，由于砸料后粉尘会附着在筛选好的原料上，所以需要对原料进行除尘或清洗处理，清洗过程中需要使用大量纯水及酸液，原料在清洗过程中会对环境造成严重污染，同时会由于酸的腐蚀造成原料损失，增加加工成本。另外，现有复投装置大多采用内提升方式进行投料，内提升方式容易卡料，且漏料处开度小，要求原料粒径小，砸料所产生的粉末和碎料较多增加了生产成本；复投后碎料及粉尘在复投过程中会附着在导流筒、隔离阀室、副室、水冷套等位置使产品成品率低，砸碎过程更加污染了原料，导致产品品质的不良增加。综上所述，现有技术存在缺点有：⑴现有复投装置采用内提升，内提升方式容易卡料，且漏料处开度小，要求原料粒径小，砸料后沫子料产生比例高；⑵物料浪费增加，使加工成本升高；⑶原料存在沾污，对成品率及品质有影响；⑷耗费人力较大，作业效率低。

实用新型内容：

本实用新型的目的在于提供一种有能够效避免卡料现象的发生、增大漏料处开合度的单晶炉投料装置。

本实用新型由如下技术方案实施：单晶炉投料装置，其包括料筒、支撑法兰、控制杆、提升架，在所述料筒顶部设有所述支撑法兰，在所述支撑法兰中部设有投料口；在所述料筒底部铰接有两个对合的半圆形底板；在两个所述半圆形底板对合边两侧上方的所述料筒外壁上分别设有一个导向套，在每个所述导向套内部分别上下滑动设有一根所述控制杆；所述控制杆顶端穿过所述支撑法兰，并延伸至所述支撑法兰上方；在两根所述控制杆顶端固定连接设有所述提升架；每个所述半圆形底板对合边两端分别通过连杆与相邻的所述控制杆底端铰接。

本实用新型的优点：结构简单，设计合理，采用外提升的方式进行投料，有效避免了卡料现象的发生；增大漏料处开合度，进而使该投料装置适用于不同粒径的原料，减少复投硅原料砸料和砸料所产生的沫子料，进而减少砸料所产生的物料浪费，减少复投硅原料上附着的硅粉尘、节省纯水及酸液，降低生产成本，避免污染环境，提高作业效率。

附图说明：

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为图1的左视图。

料筒1、支撑法兰2、控制杆3、提升架4、投料口5、半圆形底板6、导向套7、连杆8。

具体实施方式：

如图1和图2所示，单晶炉投料装置，其包括料筒1、支撑法兰2、控制杆3、提升架4，在料筒1顶部设有支撑法兰2，在支撑法兰2中部设有投料口5，由投料口5向料筒1内部加入原料；在料筒1底部铰接有两个对合的半圆形底板6；在两个半圆形底板对合边两侧上方的料筒1外壁上分别设有一个导向套7，在每个导向套7内部分别上下滑动设有一根控制杆3；控制杆3顶端穿过支撑法兰2，并延伸至支撑法兰2上方；在两根控制杆3顶端固定连接设有提升架4，通过提升架4可以使得两根控制杆3分别在对应的导向套7内部上下滑动；每个半圆形底板6对合边两端分别通过连杆8与相邻的控制杆3底端铰接，上下滑动的控制杆3可以通过连杆8控制两个半圆形底板6的开合。

工作说明：将该投料装置的提升架4与单晶炉的提升机构连接，通过提升机构控制提升架4的升降，进而将该投料装置下降到预设在单晶炉中的挡环位置，使得该投料装置通过支撑法兰2固定设置在单晶炉中；通过提升机构控制提升架4升起，使得两个半圆形底板6处于闭合状态，由投料口5向料筒1内部加入原料；通过提升机构控制提升架4降下，使得两个半圆形底板6处于打开状态，进行投料。