[实用新型]一种OLED器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电显示技术领域，特别涉及一种OLED器件。

技术背景

现有的OLED器件需采用薄膜晶体管来实现开关控制、驱动调整电流大小来调节OLED发光单元的亮度或其他作用。为了提高薄膜晶体管的迁移率以提高OLED器件的工作效率，现有技术中的OLED器件采用上下双栅结构的薄膜晶体管以在半导体层感应出双导电沟道来增大导电通道。

图1为现有技术所提供的一种具备双栅结构的薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示，该薄膜晶体管的上栅极11重叠覆盖于源极12和漏极13上方。当上栅极11和下栅极14都达到开启电压(开启电压为一种阈值电压，当栅极的电压高于该开启电压时，即可在半导体层中感应形成导电沟道)时，可在半导体层15中感应形成相互平行的上下两个导电沟道。由于上栅极11重叠覆盖于源极12和漏极13上方(在与半导体层15中导电沟道平行的平面上，上栅极11的正投影分别与源极12的正投影和漏极13的正投影是部分重叠的)；因此，漏极13可单独通过上方的导电沟道实现与源极12的导通。此外，漏极13也可单独通过下方的导电沟道实现与源极12的导通。然而，这种双栅结构薄膜晶体管存却很难通过上下导电沟道的同时导通来保证迁移率的提升，原因在于：

由于工艺技术的原因，上栅极11下方的上绝缘层16与下栅极上方的下绝缘层17的电容等参数很难匹配，这会导致上栅极11和下栅极14分别形成的上下两个导电沟道的开启电压不同，因此现有技术中的薄膜晶体管结构很难形成上下导电沟道的同时导通，这会影响到OLED器件的工作效率。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种OLED器件，解决了现有OLED器件的薄膜晶体管的上栅极和下栅极难以实现上下导电沟道同时导通的问题。

本实用新型实施例提供的一种OLED器件，包括：至少两个薄膜晶体管和V_dd电极；其中，至少两个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括：下栅极、设于所述下栅极上方的下绝缘层、设于所述下绝缘层上方的半导体层、设于所述半导体层上方的上绝缘层、设于所述上绝缘层上方的上栅极、源极和漏极；

其中，所述半导体层分别与所述源极和漏极搭接；在与所述半导体层中导电沟道平行的平面上，所述上栅极的正投影与所述源极的正投影之间存在第一间隙，所述上栅极的正投影与所述漏极的正投影之间存在第二间隙；

其中，所述至少一个薄膜晶体管的上栅极与所述V_dd电极连接。

本实用新型实施例提供的一种OLED器件，所采用的薄膜晶体管在与半导体层中导电沟道平行的平面上，上栅极的正投影与源极的正投影之间存在第一间隙，上栅极的正投影与所述漏极的正投影之间存在第二间隙，故上栅极无法独立形成上导电沟道的导通；同时，上栅极与OLED器件的V_dd电极连接可保持上栅极的电压始终高于开启电压，当下栅极达到开启电压时，上栅极即可利用下栅极感应形成的下导电沟道完成上导电沟道的导通，从而实现了上下导电沟道的同时导通。

附图说明

图1是现有技术所提供的一种具备双栅结构的薄膜晶体管的结构示意图。

图2是本实用新型一实施例所提供的一种薄膜晶体管的结构示意图。

图3是本实用新型一实施例所提供的一种薄膜晶体管的导电原理示意图。

图4是本实用新型一实施例所提供的一种薄膜晶体管中电流的流向原理示意图。

图5是本实用新型一实施例所提供的一种薄膜晶体管的导电实验结果图。

图6是本实用新型一实施例所提供的一种OLED器件的电路结构示意图。

图7是本实用新型另一实施例所提供的一种OLED器件的电路结构示意图。

图8是本实用新型另一实施例所提供的一种OLED器件的工作原理示意图。

附图标记如下：

薄膜晶体管1、V_dd电极2、OLED发光单元3、电容4、V_ss电极5、数据信号线6、扫描信号线7、上栅极11、下栅极14、上绝缘层16、下绝缘层17、半导体层15、源极12和漏极13、第一间隙18、第二间隙19、上导电沟道110、下导电沟道111、第一半导体材料高阻区112、第二半导体材料高阻区113、源极孔114、漏极孔115、钝化层116

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型作进一步的详细描述。