[实用新型]一种OLED器件有效
| 申请号： | 201520383590.0 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN204946907U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡世星;单奇;张小宝;郭瑞;林立;高孝裕 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;G09G3/32 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 杨晞 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 | ||
1.一种OLED器件，其特征在于，包括：至少两个薄膜晶体管(1)和Vdd电极(2)；其中，至少两个薄膜晶体管(1)中的至少一个薄膜晶体管(1)包括：下栅极(14)、设于所述下栅极(14)上方的下绝缘层(17)、设于所述下绝缘层(17)上方的半导体层(15)、设于所述半导体层(15)上方的上绝缘层(16)、设于所述上绝缘层(16)上方的上栅极(11)、源极(12)和漏极(13)；
其中，所述半导体层(15)分别与所述源极(12)和漏极(13)搭接；在与所述半导体层(15)中导电沟道平行的平面上，所述上栅极(11)的正投影与所述源极(12)的正投影之间存在第一间隙(18)，所述上栅极(11)的正投影与所述漏极(13)的正投影之间存在第二间隙(19)；
其中，所述至少一个薄膜晶体管(1)的上栅极(11)与所述Vdd电极(2)连接。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件进一步包括：OLED发光单元(3)以及电容(4)；
当任一薄膜晶体管(1)用于驱动OLED发光单元(3)时，进一步地，所述一个薄膜晶体管(1)的漏极(13)与所述Vdd电极(2)连接，源极(12)与所述OLED器件的OLED发光单元(3)连接，下栅极(14)与所述OLED器件的电容(4)连接。
3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件进一步包括：数据信号线(6)、电容(4)、扫描信号线(7)；
当任一薄膜晶体管(1)用作OLED器件的开关晶体管时，进一步地，所述一个薄膜晶体管(1)的漏极(13)与所述OLED器件的数据信号线(6)连接，源极(12)与所述OLED器件的电容(4)连接，下栅极(14)与所述OLED器件的扫描信号线(7)连接。
4.根据权利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述第一间隙(18)或第二间隙(19)的宽度根据半导体层(15)的半导体材料的本征电阻以及所能承受的最低漏电流进行调整。
5.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述第一间隙(18)和/或第二间隙(19)的宽度大于1um。
6.根据权利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述第一间隙(18)和/或第二间隙(19)的宽度为3um。
7.根据权利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述半导体层(15)的厚度为30nm。
8.根据权利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述半导体层(15)采用金属氧化物，或非晶硅，或多晶硅，或微晶硅材料制成。
9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述半导体层(15)采用的金属氧化物为铟镓锌氧。
10.根据权利要求1至3中任一所述的OLED器件，其特征在于，所述上栅极(11)、和/或下栅极(14)、和/或源极(12)、和/或漏极(13)由Mo金属材料制成。
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