[实用新型]一种用于生产太阳能电池片的镀膜系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件生产技术领域，具体涉及一种用于生产太阳能发电用电池片的镀膜系统。

背景技术

氧化铝薄膜作为太阳能电池的表面钝化材料，由于其含有高密度的固定负电荷，在太阳能电池P型层的钝化方面表现突出，目前已成为高效电池的主要工艺之一。当前比较常见的氧化铝镀膜系统可以分为两大类：原子层沉积(ALD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)。ALD方法利用三甲基铝(TMA)和水汽(H₂O)以次交叉覆盖到硅片表面，在一定温度下反应生成氧化铝。ALD系统镀膜质量高，但镀膜速率慢，不易量产化。PECVD是在真空中把三甲基铝(TMA)和一氧化二氮混合，通过等离子激发反应生成氧化铝。这种PECVD系统镀膜质量适中，但镀膜速率快，容易实现量产化，尤其是链式PECVD方式更容易量产化。

为了达到最佳的电性能效果，背钝化膜需要达到120-200纳米左右，由于氧化铝膜生产成本高，可以采用氧化铝和氮化硅的叠层来达到同样目的。在这种情况下，氧化铝厚度只要10-30纳米左右，其余的是氮化硅。

为了实现氧化铝、氮化硅两种膜，常规的做法需要两台设备分别完成。这样生产成本就成倍增加。另一种方法是两种膜在同一台链式设备的两个不同镀膜腔室完成，中间用一个真空腔连接隔开，这样就降低了成本，同时还节省设备之间硅片的搬运工作。

实用新型内容

本实用新型提供一种用于生产太阳能电池片的镀膜系统，以解决现有技术的需要氧化铝和氮化硅两层膜时，需采用两台独立设备或腔室完成，而造成的设备投入高和生产成本高的问题。

本实用新型提供的用于生产太阳能电池片的镀膜系统，包括：镀膜腔室、传输装置、载板、隔挡板、第一喷射装置、第二喷射装置和第三喷射装置、等离子源装置和加热装置；

所述载板设于所述传输装置的输送带上，所述传输装置将所述载板从所述镀膜腔室的进口输送至所述镀膜腔室的出口，所述载板用于安装硅片；所述隔挡板将所述镀膜腔室沿所述输送系统的传输方向依次分割为氧化铝镀膜区域和氮化硅镀膜区域，所述隔挡板位于所述输送带上方且所述隔挡板的下边沿与所述输送带的间距使所述传输装置的传输不受阻碍；所述第一喷射装置设于所述镀膜腔室的进口位置处且位于所述氧化铝镀膜区域内，所述第一喷射装置用于喷射生成氧化铝层的前质气体；所述第二喷射装置设于所述镀膜腔室的顶壁且位于所述氧化铝镀膜区域内，所述第二喷射装置用于沿垂直朝向所述载板的运行方向喷射一氧化二氮、二氧化碳、氧气、氮气、惰性气体中的任意一种或多种混合的气体；所述第三喷射装置设于所述镀膜腔室的顶壁且位于所述氮化硅镀膜区域内，所述第三喷射装置用于沿垂直朝向所述载板的运行方向喷射生成氮化硅层的反应气体；所述等离子源装置设于第一喷射装置和第二喷射装置内，其可用不同射频电源并将所述第一喷射装置和所述第二喷射装置的喷射的气体进行激发；所述加热装置设于所述镀膜腔室底部内壁，且所述加热装置对经过的载板进行加热。

所述第二喷射装置包括：镀膜腔室顶壁下方的等离子源装置及第二进气装置及朝向所述载板的第一喷头。

所述第三喷射装置包括：镀膜腔室顶壁下方的等离子源装置、第三进气装置及朝向所述载板的第二喷头和第三喷头，所述第二喷头及所述第三喷头之间交错排布。

所述第一喷射装置包括第一进气装置及第四喷头，且所述第四喷头与所述第二喷射装置的等离子源之间通过一挡板进行隔离。

所述等离子源装置包括一射频电源系统，且所述射频电源系统的频率为400KHz-2.45GHz。

所述镀膜腔室压力在10-500Pa之间。

所述第一喷射装置喷射三甲基铝，以及其和一氧化二氮、二氧化碳、氮气、惰性气体中的任意一种或多种混合的气体。

所述第三喷头喷射生产氮化硅的混合气体，所述第二喷射头用于喷射氨气、氢气、氮气的单一气体、或者氨气与氢气以及氮气的混合气体，所述第三喷射头用于喷射硅烷的单一气体、或者硅烷与氮气、氢气的混合气体。

所述加热装置的温度在250-450℃之间。

一种用于生产太阳能电池片的镀膜方法，所述镀膜方法应用于上述一项所述的镀膜系统；所述镀膜方法包括步骤：

传输装置将安装有硅片的载板输送入镀膜腔室；

对所述镀膜腔室内部进行加热并抽真空；

启动所述镀膜腔室内部的射频电源系统形成离子体；