[实用新型]一种用于生产太阳能电池片的镀膜系统有效
申请号: | 201520373553.1 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN204959035U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 朱广东;杨玉杰;刘金浩;庄正军;上官泉元 | 申请(专利权)人: | 常州比太科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/40;C23C16/34 |
代理公司: | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人: | 宋义兴 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 太阳能电池 镀膜 系统 | ||
1.一种用于生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,包括:镀膜腔室、传输装置、载板、隔挡板、第一喷射装置、第二喷射装置和第三喷射装置、等离子源装置和加热装置;
所述载板设于所述传输装置的输送带上,所述传输装置将所述载板从所述镀膜腔室的进口输送至所述镀膜腔室的出口,所述载板用于安装硅片;所述隔挡板将所述镀膜腔室沿所述输送系统的传输方向依次分割为氧化铝镀膜区域和氮化硅镀膜区域,所述隔挡板位于所述输送带上方且所述隔挡板的下边沿与所述输送带的间距使所述传输装置的传输不受阻碍;所述第一喷射装置设于所述镀膜腔室的进口位置处且位于所述氧化铝镀膜区域内,所述第一喷射装置用于喷射生成氧化铝层的前质气体;所述第二喷射装置设于所述镀膜腔室的顶壁且位于所述氧化铝镀膜区域内,所述第二喷射装置用于沿垂直朝向所述载板的运行方向喷射一氧化二氮、二氧化碳、氧气、氮气、惰性气体中的任意一种或多种混合的气体;所述第三喷射装置设于所述镀膜腔室的顶壁且位于所述氮化硅镀膜区域内,所述第三喷射装置用于沿垂直朝向所述载板的运行方向喷射生成氮化硅层的反应气体;所述等离子源装置设于第一喷射装置和第二喷射装置内,其可用不同射频电源并将所述第一喷射装置和所述第二喷射装置的喷射的气体进行激发;所述加热装置设于所述镀膜腔室底部内壁,且所述加热装置对经过的载板进行加热。
2.根据权利要求1所述的用于生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述第二喷射装置包括:镀膜腔室顶壁下方的等离子源装置及第二进气装置及朝向所述载板的第一喷头。
3.根据权利要求1所述的用于生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述第三喷射装置包括:镀膜腔室顶壁下方的等离子源装置、第三进气装置及朝向所述载板的第二喷头和第三喷头,所述第二喷头及所述第三喷头之间交错排布。
4.根据权利要求1所述的用于生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述第一喷射装置包括第一进气装置及第四喷头,且所述第四喷头与所述第二喷射装置的等离子源之间通过一挡板进行隔离。
5.根据权利要求1所述的用于生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述等离子源装置包括一射频电源系统,且所述射频电源系统的频率为400KHz-2.45GHz。
6.根据权利要求1所述的用于生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述镀膜腔室压力在10-500Pa之间。
7.根据权利要求1所述的用于生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述第一喷射装置喷射三甲基铝,以及其和一氧化二氮、二氧化碳、氮气、惰性气体中的任意一种或多种混合的气体。
8.根据权利要求3所述的生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述第三喷头喷射生产氮化硅的混合气体,所述第二喷射头用于喷射氨气、氢气、氮气的单一气体、或者氨气与氢气以及氮气的混合气体,所述第三喷射头用于喷射硅烷的单一气体、或者硅烷与氮气、氢气的混合气体。
9.根据权利要求1所述的生产太阳能电池片的镀膜系统,其特征在于,所述加热装置的温度在250-450℃之间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的