[实用新型]杂质过滤装置和装有该装置的半导体设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种过滤装置，特别涉及一种杂质过滤装置和装有该装置的半导体设备，属于过滤设备领域。

背景技术

半导体工艺由许多单个工艺组成，其中包括可产生杂质的干蚀刻工艺，干蚀刻工艺进行时，由于部分气体不能完全反应，通常会将未反应的气体会通过干泵进入到工艺气体处理器内，并在工艺气体处理器内完成净化的过程。

如图1所示，干蚀刻工艺中未反应的气体和蚀刻过程中产生的杂质通过排气管3进入到干泵6中，在此过程中未反应的气体受到温度的影响会形成更多的块状杂质6A进入到干泵6中，当大量的杂质进入到干泵6内，使干泵6瞬间的超负荷运行导致干泵6的电流值上升，引起干泵6的驱动停止运行，还会对设备和工艺中的晶片造成严重损坏；此外，由于安装在干泵6内部的转子和定子之间夹杂有杂质，会使干泵6内的转子无法旋转，导致工艺腔体1由真空状态转变成大气压状态，由于受到气压回流的影响，不仅腔体内部晶片会受到污染，还会对晶片造成损坏，严重影响工艺效率及质量。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型提供一种杂质过滤装置和装有该装置的半导体设备，可有效阻止杂质进入到干泵内，避免晶片受污染、损坏及设备运行率降低的问题，同时能防止干泵突发性终止运行及设备损坏。

为了实现上述目的，本实用新型采用的一种杂质过滤装置，包括可安装在排气管上的存储箱，存储箱的两端分别设有用于联通排气管的进入口、排出口；

所述的存储箱内靠近进入口的一端设有沿侧壁由上而下倾斜延长的隔板Ⅰ，靠近排出口的一端设有由下而上倾斜延长的隔板Ⅱ，隔板Ⅰ与隔板Ⅱ配合便于气流在存储箱内部流通循环；

所述的存储箱外侧靠近排出口的一端设有若干用于排出杂质的清理口，清理口采用可拆卸的方式安装在存储箱上；

排气管内的气流从进入口流入杂质过滤装置内，依次流经隔板Ⅰ、隔板Ⅱ后，从排出口流出，气流流动过程中，杂质沉积在存储箱底部，经清理口排出。

作为本实用新型的进一步改进，清理口为两个，分别设置在隔板Ⅰ、隔板Ⅱ的末端下侧，便于流经隔板后沉积的杂质从清理口排出。

作为本实用新型的进一步改进，清理口采用螺纹连接安装在存储箱上。

本实用新型还提供了一种装有上述杂质过滤装置的半导体设备，包括工艺腔体、安装在工艺腔体上的压力控制器，压力控制器的一端通过排气管依次连接有分子泵、干泵，所述的分子泵两侧的排气管上分别装有用于控制气流速度的主阀门，分子泵与干泵间的排气管上装有控制该段排气管开闭的贯通阀；

所述的分子泵与干泵间的排气管上外接有若干杂质过滤装置，每个过滤装置的两端分别装有控制气流进出过滤装置的关闭阀；

当关闭分子泵与干泵间排气管上的贯通阀，打开杂质过滤装置上的关闭阀时，气流经杂质过滤装置的过滤除杂后流入干泵内。

作为本实用新型的进一步改进，分子泵与干泵间的排气管上外接有两个杂质过滤装置。

与传统的半导体设备相比，本实用新型的有益效果是：通过在半导体设备中加装杂质过滤装置，并通过贯通阀与关闭阀的配合使用，使从分子泵内流出的未反应气体和产物杂质从进入口流入过滤装置内，在沿装置内的隔板的循环流动过程中，杂质沉积在过滤装置底部，可经清理口排出；除杂后的气体在隔板间流动后从排出口进入干泵内，避免了杂质进入干泵内，有效避免了晶片受污染或损坏，避免了设备运行率降低的问题，同时能防止干泵突发性终止运行及设备损坏，切实保障了工艺效率及质量。

附图说明

图1为现有半导体设备与干泵连接结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为本实用新型中杂质过滤装置的结构示意图；

图中：1、工艺腔体，2、压力控制器，3、排气管，4、主阀门，5、分子泵，6、干泵，6A、块状杂质，7、关闭阀，8、贯通阀，9、杂质过滤装置，9A、隔板Ⅰ，9B、隔板Ⅱ，9C、杂质，9D、清理口，10、气流，11、存储箱，12、进入口，13、排出口。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图2和图3所示，一种杂质过滤装置，包括可安装在排气管3上的存储箱11，存储箱11的两端分别设有用于联通排气管3的进入口12、排出口13；