[发明专利]金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法

权利要求书

1.一种金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有伪栅结构以及包覆所述伪栅结构的第一介质层，其中，所述伪栅结构两侧具有偏移侧墙，所述第一介质层分别与所述偏移侧墙、半导体衬底之间具有接触通孔刻蚀停止层，所述第一介质层与所述伪栅结构的顶表面齐平；所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成有源漏区；

去除所述第一介质层的部分高度以暴露所述接触通孔刻蚀停止层的上部，在保留的第一介质层上表面、伪栅结构上表面以及暴露出的接触通孔刻蚀停止层上部侧表面沉积一侧墙材料层，回蚀所述侧墙材料层以形成包覆所述伪栅结构上部的侧墙；

在保留的第一介质层上表面、侧墙表面以及伪栅结构上表面继续沉积所述第一介质层，并对所述沉积的第一介质层、侧墙以及伪栅结构平坦化，去除侧墙上部部分高度以形成刻蚀阻挡侧墙；

去除所述伪栅结构以形成第一凹槽，在所述第一凹槽内依次填入高K栅介质层、功函数层以及金属栅，并去除上部部分高度的高K栅介质层、功函数层以及金属栅以形成第二凹槽；

在所述第二凹槽内填入刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的上表面与所述第一介质层的上表面、刻蚀阻挡侧墙顶表面齐平，所述刻蚀阻挡层的材质与所述第一介质层的材质不同；

至少在所述第一介质层、刻蚀阻挡层上表面以及刻蚀阻挡侧墙顶表面形成图案化的掩膜层，以所述图案化的掩膜层为掩膜干法刻蚀所述第一介质层、刻蚀阻挡侧墙以及刻蚀阻挡层，以在所述第一介质层内形成通孔，在所述通孔内填入导电材质以形成源漏区的接触塞，其中，在所述第一介质层内形成所述通孔的工艺中，所述刻蚀阻挡层与刻蚀阻挡侧墙用于分别对所述刻蚀阻挡层下覆盖的金属栅结构以及所述刻蚀阻挡侧墙下覆盖的第一介质层形成保护，以所述图案化的掩膜层为掩膜干法刻蚀形成的通孔不会暴露金属栅，从而通孔内填入的导电材质也不会与金属栅电导通。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成刻蚀阻挡层后，还在所述刻蚀阻挡层、所述第一介质层上表面以及所述刻蚀阻挡侧墙顶表面沉积第二介质层，后在所述第二介质层上形成图案化的掩膜层，所述通孔以所述掩膜层为掩膜干法刻蚀所述第二介质层、第一介质层、刻蚀阻挡侧墙以及刻蚀阻挡层在所述第二介质层以及第一介质层内形成。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述伪栅结构自下而上包括伪栅极绝缘层、伪栅极，或自下而上包括伪栅极绝缘层、伪栅极以及伪栅结构硬掩膜层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材质为SiN，SiON，SiOBN，SiOCN中的至少一种，采用原子层沉积法或化学气相沉积法生成。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质为SiN，SiON，SiOBN，SiOCN中的至少一种，采用原子层沉积法或化学气相沉积法生成。