[发明专利]氮化铝陶瓷流延浆料、陶瓷基板及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氮化铝陶瓷流延浆料，其特征在于，包括下述组分：混合溶剂、 分散剂、氮化铝陶瓷粉末、烧结助剂、增塑剂和粘结剂；

其中，所述混合溶剂选自无水乙醇、乙酸乙酯和乙酸丙酯的两种以上；所 述混合溶剂的加入量为氮化铝陶瓷粉末质量的30％-50％。

2.根据权利要求1所述的流延浆料，其中，所述混合溶剂选自无水乙醇 和乙酸乙酯的组合，或无水乙醇和乙酸丙酯的组合；所述无水乙醇和乙酸乙酯 中体积比为1：(0.25-2)，所述无水乙醇和乙酸丙酯的体积比为1：(0.2-4)。

3.根据权利要求1或2所述的流延浆料，其中，所述分散剂选自聚磷酸 盐、聚丙烯酸钠、聚山梨酯和聚乙二醇的一种或两种以上。

4.根据权利要求3所述的流延浆料，其中，所述分散剂的加入量占氮化 铝陶瓷粉末质量的2％-6％，优选为2％-4％。

5.根据权利要求1-4任一项所述的流延浆料，其中，所述氮化铝陶瓷粉末 的平均粒径为0.8-5μm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的流延浆料，其中，所述烧结助剂选自氧 化钇、氧化钙、氟化钇、氧化锂、碳酸钙或碳酸锂的一种或两种以上。

7.根据权利要求6所述的流延浆料，其中，所述烧结助剂的质量占氮化 铝陶瓷粉末的2％-8％，优选为3％-5％。

8.根据权利要求1-7所述的流延浆料，其中，所述增塑剂选自环氧油酸丁 酯、环氧硬脂酸辛酯、环氧化甘油三酸酯、甘油三醋酸酯、偏苯三酸三辛酯、 偏苯三酸三己酯或均苯四酸四酯的一种或两种以上。

9.根据权利要求8所述的流延浆料，其中，所述增塑剂的质量占氮化铝 陶瓷粉末的1％-5％，优选为2％-3％。

10.根据权利要求1-9任一项所述的流延浆料，其中，所述粘结剂选自羧 甲基纤维素钠、聚乙烯醇或聚丙烯醇的一种或两种以上。

11.根据权利要求10所述的流延浆料，其中，所述粘结剂的质量占氮化 铝陶瓷粉末的2％-5％，优选为3％-5％。

12.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，由权利要求1-11任一项所述流延 浆料经流延成型后得到。

13.根据权利要求12所述的陶瓷基板，其中，所述陶瓷基板包括氮化铝 陶瓷粉末和烧结助剂，所述烧结助剂的质量占氮化铝陶瓷粉末的2％-8％，优 选为3％-5％。

14.权利要求1-11任一项所述流延浆料的制备方法，其特征在于，包括下 述步骤：

(1)将包含混合溶剂、分散剂、氮化铝陶瓷粉末、烧结助剂的原料混合 后进行初次球磨；所述原料与研磨体的质量比为(3-5)：1；

(2)加入增塑剂和粘结剂，进行二次球磨，得到氮化铝陶瓷流延浆料。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其中，所述初次球磨的时间为 8-20h，所述二次球磨的时间为8-20h。

16.权利要求12或13所述氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括下述步骤：

(1)真空除泡：将氮化铝陶瓷流延浆料在真空脱泡机中进行除泡；

(2)流延成型：将经除泡后的氮化铝陶瓷流延浆料进行流延操作，流延 速度为0.5m/min-3m/min，温度为30-60℃，得到胚体；

(3)干燥：将胚体进行干燥后，将胚体从流延薄膜上剥离。

17.根据权利要求16所述的制备方法，其中，所述真空除泡机的搅拌速 度为30-80r/min，脱泡时间为8-30min。

18.一种氮化铝陶瓷基板，由权利要求16或17所述制备方法制备得到。

19.权利要求1-11所述氮化铝陶瓷流延浆料，权利要求12或13或18所 述氮化铝陶瓷基板在LED照明或集成电路领域的应用。