[发明专利]太鼓减薄工艺的环切工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种太鼓(Taiko)减薄工艺的环切工艺方法。

背景技术

Taiko减薄工艺是由日本DISCO公司开发的一种超薄减薄工艺，Taiko减薄工艺并不是对晶圆即硅片的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘部分不进行研磨减薄，不进行减薄的边缘部分的宽度约为2毫米～5毫米并由该不进行减薄的边缘部分形成支撑环。

一般当硅片薄到一定程度，且面积较大时，其机械强度大大下降，以8英寸硅片为例，当硅片厚度<200微米时，硅片会发生卷曲，因此无法继续进行搬送、转移和加工。而采用Taiko减薄工艺之后，仅硅片的中间部分减薄，利用硅片的中间部分形成集成电路的器件；利用较厚的支撑环来保持整个硅片的机械强度，防止硅片发生卷曲，有利于后续工艺中对硅片的搬送、转移和加工。

Taiko减薄工艺主要包含贴膜，减薄，揭膜，背面工艺，切割膜(Dicingtape)贴附，环切等步骤。

在其中的环切工艺步骤一般采用机械切割或激光切割将支撑环切除或采用研磨的方法将所述支撑环磨平。

如图1所示，是现有方法中环切工艺过程的示意图；太鼓减薄工艺之后在晶圆1的边缘形成有支撑环2。正背面工艺都完成后需要进行环切工艺将支撑环2从所述晶圆1中取下。环切之前需要将晶圆1的表面贴附在切割胶带如紫外线照射胶带(UV膜)3上并固定在划片环5上，而晶圆1的表面则放置在吸附平台(chucktable，CK)4上，吸附平台4通过真空或静电的方式将晶圆1吸附在平台表面，使晶圆1得到固定。之后在所述晶圆1的中间部分的外侧边缘处即虚线圈7所示位置处进行切割使所述支撑环2和所述晶圆1的中间部分分开。将取环手臂6切入到所述切割胶带3和所述支撑环2之间，现有方法中所述取环手臂6采用一次性切入，切入方向如图1中的水平方向的箭头所示。

在最后环切过程中，UV膜和晶圆1边缘的支撑环2粘性较强，这样一次性切入过程中需要使用较大的力且会使切入过程中力矩不均匀，持续较大的力矩不易控制且容易导致在取环的过程中发生夹膜以及碎片的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种太鼓减薄工艺的环切工艺方法，能降低环切步骤中的碎片率。

为解决上述技术问题，本发明提供的太鼓减薄工艺的环切工艺方法包括如下步骤：

步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环。

步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺。

步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆的贴附在切割胶带上并固定在划片环上。

步骤四、进行环切工艺，所述环切工艺包括分步骤：

步骤41、在所述晶圆的中间部分的外侧边缘处进行切割使所述支撑环和所述晶圆的中间部分分开。

步骤42、将取环手臂切入到所述切割胶带和所述支撑环之间，所述取环手臂在切入过程中分多次逐步逼近所述支撑环的表面，最后将所述支撑环从所述切割胶带上完全脱离。

进一步的改进是，步骤42中所述取环手臂切入过程中每次逼近所述支撑环的表面的距离相等且为所述取环手臂开始切入时距离所述支撑环表面的距离除以逼近次数。

进一步的改进是，步骤42中所述取环手臂在切入过程中分2次或3次逐步逼近所述支撑环的表面。

进一步的改进是，步骤42中所述取环手臂逼近所述支撑环的表面后将所述取环手臂和所述支撑环表面贴合或将所述取环手臂抬起一定角度。

进一步的改进是，所述切割胶带为紫外线照射胶带或热敏胶带。

本发明在将取环手臂切入到切割胶带和支撑环之间的过程中分多次逐步逼近支撑环的表面，能够使切入过程中的力和力矩得到良好的控制，使切割胶带和支撑环分离过程平稳,能降低环切步骤中的碎片率。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是现有方法中环切工艺过程的示意图；

图2是本发明实施例方法流程图；

图3A-图3C是本发明实施例方法环切工艺过程的示意图。

具体实施方式

如图2所示，是本发明实施例方法流程图；如图3A至图3C所示，是本发明实施例方法环切工艺过程的示意图。本发明实施例太鼓减薄工艺的环切工艺方法包括如下步骤：