[发明专利]太鼓减薄工艺的环切工艺方法在审
| 申请号： | 201510977067.5 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105428220A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太鼓减薄 工艺 方法 | ||
1.一种太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环；
步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺；
步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆的贴附在切割胶带上并固定在划片环上；
步骤四、进行环切工艺，所述环切工艺包括分步骤：
步骤41、在所述晶圆的中间部分的外侧边缘处进行切割使所述支撑环和所述晶圆的中间部分分开；
步骤42、将取环手臂切入到所述切割胶带和所述支撑环之间，所述取环手臂在切入过程中分多次逐步逼近所述支撑环的表面，最后将所述支撑环从所述切割胶带上完全脱离。
2.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：步骤42中所述取环手臂切入过程中每次逼近所述支撑环的表面的距离相等且为所述取环手臂开始切入时距离所述支撑环表面的距离除以逼近次数。
3.如权利要求2所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：步骤42中所述取环手臂在切入过程中分2次或3次逐步逼近所述支撑环的表面。
4.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：步骤42中所述取环手臂逼近所述支撑环的表面后将所述取环手臂和所述支撑环表面贴合或将所述取环手臂抬起一定角度。
5.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：所述切割胶带为紫外线照射胶带或热敏胶带。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
