[发明专利]存储设备、非易失性存储器以及操作其的方法

说明书

一种操作存储设备的方法，包括：当指向存储块的存储单元的两个连续编写操作之间的编写间隔小于最小编写间隔时，和/或当指向存储块的两个连续擦除操作之间的擦除间隔小于最小擦除间隔时，计数针对存储块的快周期数，并且响应于针对存储块的快周期计数，选择要被擦除操作擦除的存储块或选择要被编写操作编写的存储块的存储单元。

相关专利申请的交叉引用

本申请主张于2014年12月22日提交的韩国专利申请10-2014-0186298的优先权，通过参照将其主题合并于此。

技术领域

本发明构思通常涉及非易失性存储设备、包括至少一个非易失性存储设备的存储设备或存储系统以及操作其的方法。更具体地说，本发明构思涉及在改善数据可靠性的地址可能问题的存储系统中操作非易失性存储设备的方法。

背景技术

非易失性存储设备已经成为诸如那些在计算机、智能电话以及其它便携、个人电子设备中典型使用的现代存储系统中的重要和基本的组件。非易失性存储设备包括例如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、诸如快闪存储器的电可擦除可编程ROM(EEPROM)、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)。

针对现代非易失性存储设备的设计、制造和操作目标以存储单元集成度非常高、操作速度快、电流消耗小以及生产成本低为特点。遗憾的是，随着单个存储单元的物理尺寸和存储单元阵列中相邻和邻近存储存储单元之间的物理间隔被减小以满足这些设计目标，所存储数据的可靠性会受到破坏。

发明内容

根据本发明构思的实施例，操作存储设备的方法，存储设备包括存储控制器和包括存储块的非易失性存储器，所述方法包括：当针对存储块的存储单元的两个连续编写操作之间的编写间隔小于最小编写间隔时，并且当针对存储块的两个连续擦除操作之间的擦除间隔小于最小擦除间隔时，计数针对存储块的快周期数；以及响应于针对存储块的被计数的快周期数，选择要被擦除操作擦除的存储块或者选择要被编写操作编写的存储块的存储单元。

根据本发明构思的另一实施例，操作包存储设备的方法，存储设备包括存储控制器和包括存储块的非易失性存储器，所述方法包括：当针对每个存储块的存储单元的两个连续编写操作之间的编写间隔小于最小编写间隔时，并且当针对存储块的两个连续擦除操作之间的擦除间隔小于最小擦除间隔时，分别计数针对多个存储块的每一个的快周期数；基于针对多个存储块的每一个的快周期计数以及指向多个存储块的每一个的擦除操作数，计算针对多个存储块的每一个的磨损指数；以及响应于针对所选择存储块的快周期计数，从要被擦除操作擦除的多个存储块当中选择存储块，或者选择要被编写操作编写的存储块的存储单元。

根据本发明构思的另一实施例，操作具有被划分为存储块的存储单元阵列的非易失性存储设备的方法包括：当指向每个存储块的存储单元的两个连续编写操作之间的编写间隔小于最小编写间隔时，并且当指向每个存储块的两个连续擦除操作小于最小擦除间隔时，计数针对存储块的每一个的快周期数；以及响应于针对存储块的快周期计数，从要被擦除操作擦除的存储块当中选择存储块，或选择要被编写操作编写的存储块的存储单元。

附图说明

参照附图考虑其某些实施例，本发明构思的以上和其它特点将变得更加显然，其中：

图1是示出根据本发明构思实施例的存储设备的框图；

图2是总结根据本发明构思实施例的存储设备的操作顺序的流程图；

图3是进一步示出图3的非易失性存储器110的框图；

图4是示出根据本发明实施例的存储块的部分电路图；

图5是示出与存储块相关地运行的一系列编写和擦除操作的构思图；