[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及沿着分割预定线切割晶片的晶片的加工方法，该晶片在正面上呈格子 状形成有多条分割预定线，并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域上形成有器 件。

背景技术

在半导体器件制造过程中，在呈大致圆板形状的半导体晶片的正面由呈格子状排 列的分割预定线划分出多个区域，并在该划分出的区域上形成IC、LSI等的器件。通 过沿着分割预定线切断如上形成的半导体晶片，从而分割形成有器件的区域并制造出 各个器件芯片。

上述沿着半导体晶片的分割预定线而进行的切断通常是通过被称作切割锯的切 削装置进行的。该切削装置具有保持半导体晶片和光器件晶片等的被加工物的卡盘 台、用于切削被保持于该卡盘台上的被加工物的切削单元、以及使卡盘台和切削单元 相对移动的切削进给单元。切削单元包括主轴组件，该主轴组件具有主轴以及对安装 于该主轴上的切削刀具和对主轴进行旋转驱动的电动机。切削刀具由圆盘状的基台和 安装于该基台的侧面外周部上的环状的切割刃构成，切割刃通过电铸例如将粒径3μm 左右的金刚石磨粒固定于基台上且形成为厚度20μm左右。

然而，由于切削刀具具有20μm左右的厚度，因此作为划分器件的分割预定线而 言其宽度需要为50μm左右，使得分割预定线在晶片的面积上所占的面积比率较大， 存在生产效率较差的问题。

另一方面，作为近些年来的分割半导体晶片等的晶片的方法，已有一种被称作内 部加工的激光加工方法得以实用，使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线， 将聚光点定位于待分割区域的内部并照射脉冲激光光线。该使用被称作内部加工的激 光加工方法的分割方法是一种如下的技术，将聚光点对准内部并从晶片的一个表面侧 照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线而连 续形成改质层，沿着通过形成该改质层而强度降低后的分割预定线赋予外力，从而断 开晶片进行分割。(例如，参照专利文献1)

如上所述，作为沿着在沿分割预定线而形成有改质层的晶片上的分割预定线赋予 外力，将晶片分割为各个器件芯片的方法，在下述专利文献2中公开了如下技术，在 安装于环状框架的切割带上贴附沿着分割预定线而形成有改质层的晶片，并通过扩张 切割带而对晶片赋予牵拉力，沿着形成有改质层而强度降低后的分割预定线将晶片分 割为各个器件芯片。

此外，在下述专利文献3中公开了如下技术，在沿着分割预定线而连续形成有改 质层的晶片的正面上贴附保护带，将保护带侧保持于卡盘台上，此后对晶片的背面供 给磨削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度，并且将晶片分割为各个器件芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-160493号公报

专利文献2：日本特开2005-223282号公报

专利文献3：日本特开2013-165229号公报

然而，如果在沿着分割预定线而连续形成有改质层的晶片的正面上贴附保护带， 将保护带侧保持于卡盘台上而对晶片的背面供给磨削水并进行磨削使其形成为规定 的厚度，并将晶片分割为各个器件芯片，则分割后的器件芯片会彼此接触而在器件芯 片的侧表面上产生细微的缺损，存在降低器件芯片的品质的问题。

发明内容

本发明就是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于，提供一种晶片的加工 方法，在沿着分割预定线形成有改质层的晶片的正面上贴附保护带，将保护带侧保持 于卡盘台上而对晶片的背面供给磨削水并进行磨削以使其形成为规定的厚度，并将晶 片分割为各个器件芯片时，能够在晶片的外周不产生缺损的情况下实施该方法。