[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号: | 201510957302.2 | 申请日: | 2015-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN105720008A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
| 发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片,该晶片 在正面呈格子状地形成有多条分割预定线,并且,该晶片在正面具有:器件区域,其 是在由该多条分割预定线划分出的多个区域上分别形成了器件的区域;以及围绕该器 件区域的外周剩余区域,
该加工方法的特征在于,包括:
保护带贴附工序,将通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带贴附于晶片的正 面上;
粘结层硬化工序,对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线,使该粘结层硬化;
改质层形成工序,将聚光点定位于晶片的内部,沿着分割预定线照射对于晶片具 有透过性的波长的激光光线,从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层;以及
背面磨削工序,在实施了该粘结层硬化工序和该改质层形成工序后,对晶片的背 面供给磨削水并磨削晶片,使晶片变薄到规定的厚度,并且以该改质层为断裂起点, 沿着该分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该粘结层硬化工序中,仅对与晶片的器件区域对应的区域上的该保护带照射紫 外线,从而使该保护带的与器件区域对应的区域上的粘结层硬化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





