[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201510957302.2 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN105720008A 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 中村胜 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/683
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;金玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,沿着分割预定线将晶片分割为各个器件芯片,该晶片 在正面呈格子状地形成有多条分割预定线,并且,该晶片在正面具有:器件区域,其 是在由该多条分割预定线划分出的多个区域上分别形成了器件的区域;以及围绕该器 件区域的外周剩余区域,

该加工方法的特征在于,包括:

保护带贴附工序,将通过照射紫外线而使得粘结层硬化的保护带贴附于晶片的正 面上;

粘结层硬化工序,对贴附于晶片的正面上的保护带照射紫外线,使该粘结层硬化;

改质层形成工序,将聚光点定位于晶片的内部,沿着分割预定线照射对于晶片具 有透过性的波长的激光光线,从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层;以及

背面磨削工序,在实施了该粘结层硬化工序和该改质层形成工序后,对晶片的背 面供给磨削水并磨削晶片,使晶片变薄到规定的厚度,并且以该改质层为断裂起点, 沿着该分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,

在该粘结层硬化工序中,仅对与晶片的器件区域对应的区域上的该保护带照射紫 外线,从而使该保护带的与器件区域对应的区域上的粘结层硬化。

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