[发明专利]非易失性存储器控制装置以及非易失性存储器控制方法

说明书

一种非易失性存储器控制装置以及非易失性存储器控制方法。在对可改写的半导体非易失性存储器的多个分区分别进行数据的读写控制的非易失性存储器控制装置中，具备：擦除次数计数部，对每一个分区的总计的擦除次数进行计数；读出次数计数部，将对每一个分区的同一数据的连续的读出次数进行计数；数据读出写入部，对非易失性存储器进行数据的读写；以及控制部，在特定的分区的擦除次数为规定的次数以上、存在与特定的分区相比擦除次数少、且读出次数多的分区的情况下，对数据读出写入部进行控制，以将该分区的数据和特定的分区的数据调换。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器控制装置以及非易失性存储器控制方法。

背景技术

以往，NAND型闪速存储器等的可改写的半导体非易失性存储器(简称为非易失性存储器)，通过经由隧道氧化膜对浮栅内注入电子而写入数据，通过拉出电子而进行数据的擦除。另外，以由多个单元构成的页为单位进行数据的读写，在擦除数据时，进而以由多个页构成的块为单位来进行。

但是，在对一个单元的数据的改写时，由于贯穿隧道氧化膜的电子，产生隧道氧化膜的劣化，该单元的寿命会耗尽，因此对各个块的擦除次数有限制。另外，一般地，以由多个块构成的分区为单位使用的情况多，因此，实际上在对于分区的擦除次数上施加限制。

因此，为了防止仅特定的分区的擦除次数增加，而作为非易失性存储器整体的寿命耗尽，优选将分区的擦除次数均衡化。

作为这样的均衡化对策，公开了在未使用的分区数为阈值以下的情况下，通过将最多改写次数(擦除次数)的分区的数据、和最少改写次数(擦除次数)的分区的数据调换，防止改写集中到特定分区，实现在各分区间的改写次数(擦除次数)的均衡化的非易失性存储装置等(参照日本特开2008-097132号公报)。

但是，现如今，即使是在最少改写次数(擦除次数)的分区中存储的数据，也只是分区的改写次数(擦除次数)少，在该分区中存储的数据自身的改写次数(擦除次数)并不少。即，还设想即使是最少改写次数(擦除次数)的分区中存储的数据，也是该数据自身的改写次数(擦除次数)多的数据的情况。

因此，存在如下问题：在专利文献1记载的那样的仅着眼于分区的改写次数(擦除次数)的非易失性存储装置中的均衡化中，也会产生将这样的该数据自身的改写次数(擦除次数)多的数据再次储存在最多改写次数(擦除次数)的分区中的情况，反而有缩短非易失性存储器的寿命的担心。

发明内容

本发明的目的在于，提供能够将非易失性存储器的各分区的擦除次数均衡化而实现长寿命的非易失性存储器控制装置以及非易失性存储器控制方法。

为了实现上述的目的，本发明的非易失性存储器控制装置，优选为，

在对可改写的半导体非易失性存储器的多个分区分别进行数据的读写控制的非易失性存储器控制装置中，具备：

擦除次数计数部，对每一个所述分区的总计的擦除次数进行计数；

读出次数计数部，将对每一个所述分区的同一数据的连续的读出次数进行计数；

数据读出写入部，对所述可改写的半导体非易失性存储器进行数据的读写；以及

控制部，在一分区的擦除次数为规定的次数以上、存在与该一分区相比擦除次数少、且读出次数多的分区的情况下，对所述数据读出写入部进行控制，以将该分区的数据和所述一分区的数据进行调换。

在上述的非易失性存储器控制装置中，优选

与所述一分区相比擦除次数少、且读出次数多的分区存在多个的情况下，所述控制部与读出次数最多的分区的数据进行调换。

在上述的非易失性存储器控制装置中，优选