[发明专利]一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法在审
申请号: | 201510912092.5 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN105355732A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 林志伟;陈凯轩;张永;姜伟;卓祥景;方天足;陈亮 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/22 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒装 蓝绿 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
1.一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法,包括以下步骤:
1)采用MOCVD在外延衬底上逐渐形成缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、电流阻挡层、第一型欧姆接触层、第一型导电层、有源层、限制层、第二型导电层和第二型欧姆接触层;
2)经过掩膜、光刻,在第二型欧姆接触层上定义出第一电极台面和切割道;
3)采用ICP刻蚀出第一电极台面和切割道,裸露出第一型欧姆接触层;
4)经过掩膜、光刻,在第二型欧姆接触层上定义出透明导电层区域;且在此区域形成透明导电层,在透明导电层上制作金属反射镜层;
5)经过掩膜、光刻,同时在第一型欧姆接触层上制作第一电极,在金属反射镜层上制作第二电极;
6)在芯片正面、侧面、第一电极与外延层之间分别蒸镀SiO2,形成芯片保护层和电极隔离层;
7)采用隐形切割、劈裂将倒装蓝绿发光二极管芯片分离成独立的发光二极管器件;
其特征在于:在制作第一型欧姆接触层时,采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层;在步骤3)中,对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀,裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层;在步骤5)中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在制作各层第一型欧姆接触结构层时,通过采用带元素探测功能的ICP逐层刻蚀。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述第一电极设置在发光二极管芯片的中心,所述第二电极设置在发光二极管芯片的外侧。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述第二电极有两个,分别呈对角地设置在发光二极管芯片的外侧。
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