[发明专利]一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器在审
| 申请号： | 201510873190.2 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105391420A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 鲍景富;李昕熠;张超;秦风;鲍飞鸿;张翼 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 插入损耗 mems 压电 谐振器 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器，包括基底、设置于基底上的支撑台、谐振块、用于连接谐振块与支撑台的支撑梁，所述谐振块上设置压电薄膜，压电薄膜上设置输入、输出换能电极，输入、输出换能电极通过位于支撑梁上的金属走线与位于支撑台上的外部互连金属区连接导通，其特征在于，所述输入、输出换能电极呈叉指形状分布。
2.按权利要求1所述具有低插入损耗的MEMS压电谐振器，其特征在于，所述谐振块采用单晶硅材料，呈长方形，工作在1阶侧向振动模态。
3.按权利要求1所述具有低插入损耗的MEMS压电谐振器，其特征在于，所述基底与支撑台之间、支撑台与外部互连金属区之间以及支撑梁与金属走线之间都设置有二氧化硅绝缘层。
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