[发明专利]NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法

说明书

本发明公开了一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其中，NAND FLASH存储器为SLC NAND FLASH存储器，该方法包括：S1，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；S3，将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中；在页数据回写时，诱发NAND FLASH存储器的浮栅电荷再注入。该数据保持错误恢复方法可以实现NAND FLASH存储器数据保持错误恢复，有效提升NAND FLASH存储器数据可靠性。本发明还公开了另一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法。

技术领域

本发明属于存储技术领域，尤其涉及一种NAND FLASH存储器保持错误恢复方法。

背景技术

NAND FLASH存储器得益于其具有高吞吐、低耗电、耐震、稳定性高、耐低温、发热量小、工作噪音低等众多优势，在手机、数码相机、U盘、MP3，平板电脑、个人电脑、高性能计算机、军工产业等领域拥有广阔的市场前景。

为满足市场对NAND Flash存储器容量日益增长的迫切需求，NAND FLASH呈现的工艺尺寸不断缩小以及多电平存储单元(MLC，Multi-Level Cell)技术广泛运用两大发展趋势。然而在有效提升存储容量，降低单位比特数据存储成本的同时，NAND FLASH同样面临愈发严重的可靠性问题。

例如，图1为一款经典商用MLC NAND FLASH存储器的数据保持误码率与存储器所经历编程/擦除次数以及数据的存储时间的变化趋势的曲线示意图。如图1所示，对于经历不同编程/擦除次数的NAND FLASH存储器，其数据保持误码率均随着存储器数据的存储时间的增加而显著增加，从而造成严重的数据可靠性问题。

在构造方面，NAND FLASH存储器是基于浮栅电荷存储实现数据的保存，如图2(1)所示为编程之后NANDFLASH存储器存储单元的浮栅电荷数量示意图。然而，如图2(2)所示为数据存储期间存储单元浮栅电荷丢失示意图，在数据存储期间浮栅电荷的丢失将会导致数据保持错误产生。随着NAND FLASH工艺尺寸不断缩小，存储单元浮栅结构的几何尺寸不断缩小，导致浮栅电荷存储数量的降低，与此同时，MLC技术的运用使得数据对浮栅电荷数量的变化更加敏感，从而导致数据保持误码率的迅速增加。目前，NAND FLASH保持错误已经成为制约NAND FLASH存储器数据可靠性的关键因素。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明需要提出一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，该恢复方法可以实现NAND FLASH存储器数据保持错误恢复，有效提升NAND FLASH存储器数据可靠性。

本发明还提出另一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法。

为了解决上述问题，本发明提出一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，所述NAND FLASH存储器为SLC(Single-Level Cell,单电平存储单元)NAND FLASH存储器，该方法包括以下步骤：S1，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；以及S3，将所述页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的数据页中；其中，在所述页数据回写时，诱发所述NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。

根据本发明的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，针对SLC NAND FLASH存储器，在数据读取失效时，读取失效数据所在数据块中的页数据，并将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中，在页数据回写时，诱发NAND FLASH存储器的浮栅电荷再注入以补偿数据存储期间浮栅电荷的损失，从而可以恢复失效数据所在数据块存在的保持错误，降低数据保持错误率，提高NAND FLASH存储器数据可靠性。