[发明专利]NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法

权利要求书

1.一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，所述NAND FLASH存储器为SLC NAND FLASH存储器，所述方法包括以下步骤：

S1，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；

S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；以及

S3，将所述页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的数据页中；

其中，在所述页数据回写时，诱发所述NAND FLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。

2.如权利要求1所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

重复步骤S2-S3，直至达到第一预设次数。

3.如权利要求2所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

读取所述失效数据所在数据块中的数据；

对读取的数据进行ECC解码；以及

如果解码成功，则所述失效数据所在数据块的保持错误成功恢复。

4.如权利要求3所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括:

如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数；

如果达到所述预设尝试次数，则所述失效数据所述数据块的保持错误恢复失败；以及

如果未达到所述预设尝试次数，则返回步骤S2。

5.一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，所述NAND FLSH存储器为MLC NAND FLASH存储器，所述方法包括以下步骤：

S10，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S20；

S20，读取失效数据所在数据块中的LSB页数据；以及

S30，将所述LSB页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中；

其中，在所述LSB页数据回写时，诱发所述NAND FLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。

6.如权利要求5所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

重复步骤S20-S30，直至达到第二预设次数。

7.如权利要求5所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，在步骤S20之后，还包括：

S40，对所述LSB页数据进行ECC解码，并当解码成功时，进入步骤S30。

8.如权利要求7所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

重复步骤S30，直至重复达到第三预设次数。

9.如权利要求8所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

读取所述失效数据所在数据块中的数据；

对读取的数据进行ECC解码；

如果ECC解码成功，则所述失效数据所在数据块的保持错误成功恢复；

如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数；以及

如果未达到所述预设尝试次数，则返回步骤S30。

10.如权利要求9所述的NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

如果达到所述预设尝试次数，则所述失效数据所述数据块的保持错误恢复失败。