[发明专利]OLED显示结构及制造方法在审
| 申请号: | 201510830361.3 | 申请日: | 2015-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN105428548A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
| 发明(设计)人: | 戴诗川;何麟 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 结构 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及OLED技术领域,特别是涉及一种OLED显示结构及其制造方法。
背景技术
AMOLED显示器为顶发光,阴极对其性能有着至关重要的影响。阴极膜层应有较好的透光性和较强的导电性。传统的阴极材料只有在膜层很薄的情况下其透光性才会很好,但是膜层很薄时,往往会存在断路或形成欧姆接触,相应的功耗就会增加;此外,随着阴极层的厚度变薄,会导致AMOLED显示出现亮度不均匀的问题。因此,顶发光AMOLED的阴极需要同时考虑透光性和导电性的问题。
为了减少功耗,传统的针对阴极的改进主要是采用高导电性能的金属材料做阴极,如金属银。在镀膜过程中均匀镀膜,通过调节金属膜层的厚度来平衡金属阴极的导电性和透光性。这种方法在满足透光性的前提下,阴极的导电性还是较差,导致功耗偏高。
发明内容
基于此,有必要提供一种能够较好地保证透光性和导电性的OLED显示结构。
此外,还提供一种OLED显示结构的制造方法。
一种OLED显示结构,包括层叠的衬底、像素限定层和阴极层,所述像素限定层内设有像素限定区,所述像素限定区内形成有机层,所述阴极层覆盖于所述像素限定层并与有机层相接,所述衬底与有机层之间设有阳极层,所述阳极层与有机层相接,所述像素限定层内还设有阴极辅助区,所述阴极辅助区内设有辅助阴极,所述阴极层与所述辅助阴极相接。
在其中一个实施例中,每个像素限定区被一个阴极辅助区环绕。
在其中一个实施例中,所述辅助阴极形成于所述衬底上、与所述阳极层位于同一层。
在其中一个实施例中,所述辅助阴极与阳极层的间隔大于1微米。
在其中一个实施例中,所述衬底为驱动电路的顶部绝缘层。
一种OLED显示结构的制造方法,包括如下步骤:
提供衬底;
在所述衬底上形成阳极材料层,并图形化为阳极层;
在所述阳极层上形成像素限定材料层,并图形化为像素限定层;所述像素限定层包括像素限定区和阴极辅助区;
在所述像素限定区内形成有机层,使所述有机层与阳极层相接;
在所述阴极辅助区内形成辅助阴极;
在所述像素限定层上形成阴极层,使所述阴极层与有机层、辅助阴极相接。
在其中一个实施例中,所述辅助阴极在形成阳极层的同时形成。
在其中一个实施例中,每个像素限定区被一个阴极辅助区环绕。
在其中一个实施例中,所述衬底为驱动单元的顶部绝缘层,所述驱动单元的制造过程包括如下步骤:
提供基板;
在所述基板上形成缓冲层;
在所述缓冲层上形成半导体层,并制作形成源极区、漏极区和沟道区;
在所述半导体层上形成栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上形成层间介质层;
制作与所述源极区和漏极区分别连接的源极电极和漏极电极;
在最外层形成顶部绝缘层作为所述衬底,并进行图形化使每个像素限定区对应的阳极部分与一个驱动单元的漏极电极连接。
上述OLED显示结构及其制造方法,辅助阴极为导电材料,在与阴极层相接后,可以局部地增加阴极层的纵向面积,从一定程度上减小阴极的电阻,从而减少功耗。另一方面,辅助阴极都设置在非像素限定区,因而像素限定区内的有机层发出的光线基本上不会被额外地阻挡,而会直接穿透阴极层。因此,可以从整体上减小阴极层的厚度以增加透光度,而由于辅助阴极的存在,阴极的整体功耗不会明显增加。因此上述实施例的显示结构,其透光性较好、同时导电性也较好。
附图说明
图1为本发明第一实施例的OLED显示结构的层状示意图;
图2为有机层的层状结构示意图;
图3为图1所示实施例的OLED显示结构中的像素限定层的俯视图;
图4为本发明第二实施例的OLED显示结构的层状示意图;
图5为本发明第三实施例的OLED显示结构的制造方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例进行进一步说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510830361.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





