[发明专利]OLED显示结构及制造方法在审

专利信息
申请号: 201510830361.3 申请日: 2015-11-24
公开(公告)号: CN105428548A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 戴诗川;何麟 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 唐清凯
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种OLED显示结构,包括层叠的衬底、像素限定层和阴极层,所述像素限定层内设有像素限定区,所述像素限定区内形成有机层,所述阴极层覆盖所述像素限定层并与有机层相接,所述衬底与有机层之间设有阳极层,所述阳极层与有机层相接,其特征在于,所述像素限定层内还设有阴极辅助区,所述阴极辅助区内设有辅助阴极,所述阴极层与所述辅助阴极相接。

2.根据权利要求1所述的OLED显示结构,其特征在于,每个像素限定区被一个阴极辅助区环绕。

3.根据权利要求1所述的OLED显示结构,其特征在于,所述辅助阴极形成于所述衬底上、与所述阳极层位于同一层。

4.根据权利要求1所述的OLED显示结构,其特征在于,所述辅助阴极与阳极层的间隔大于1微米。

5.根据权利要求1所述的OLED显示结构,其特征在于,所述衬底为驱动电路的顶部绝缘层。

6.一种OLED显示结构的制造方法,包括如下步骤:

提供衬底;

在所述衬底上形成阳极材料层,并图形化为阳极层;

在所述阳极层上形成像素限定材料层,并图形化为像素限定层;所述像素限定层包括像素限定区和阴极辅助区;

在所述像素限定区内形成有机层,使所述有机层与阳极层相接;

在所述阴极辅助区内形成辅助阴极;

在所述像素限定层上形成阴极层,使所述阴极层与有机层、辅助阴极相接。

7.根据权利要求6所述的OLED显示结构的制造方法,其特征在于,所述辅助阴极在形成阳极层的同时形成。

8.根据权利要求6所述的OLED显示结构的制造方法,其特征在于,每个像素限定区被一个阴极辅助区环绕。

9.根据权利要求6所述的OLED显示结构的制造方法,其特征在于,所述衬底为驱动单元的顶部绝缘层,所述驱动单元的制造过程包括如下步骤:

提供基板;

在所述基板上形成缓冲层;

在所述缓冲层上形成半导体层,并制作形成源极区、漏极区和沟道区;

在所述半导体层上形成栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层上形成层间介质层;

制作与所述源极区和漏极区分别连接的源极电极和漏极电极;

在最外层形成顶部绝缘层作为所述衬底,并进行图形化使每个像素限定区对应的阳极部分与一个驱动单元的漏极电极连接。

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