[发明专利]竖直集成的半导体器件和制造方法

说明书

本申请涉及竖直集成的半导体器件和制造方法。根据各种实施例的竖直集成的半导体器件可以包括：第一半传导层；第二半传导层，被布置在所述第一半传导层之上；第三半传导层，被布置在所述第二半传导层之上；以及电旁路，被耦合在所述第一半传导层与所述第二半传导层之间。

技术领域

各种实施例涉及竖直集成的半导体器件和用于制造竖直集成的半导体器件的方法。

背景技术

在半导体技术中会需要保护器件来提供针对静电放电(ESD)的保护。在当前使用的保护器件之中，晶闸管可以具有有利的特性。在本领域中当前使用基于横向集成的器件的ESD概念以及基于竖直集成的器件的概念。与横向集成的器件相比，竖直集成的器件可以具有特定的优势。然而，竖直集成的器件可以通过在彼此上方形成一个或多个层来制造，该一个或多个层包括半导体材料，例如掺杂或未掺杂的半导体材料，例如掺杂或未掺杂的硅。

发明内容

根据各种实施例，一种竖直集成的半导体器件可以包括：第一半传导层；第二半传导层，被布置在所述第一半传导层之上；第三半传导层，被布置在所述第二半传导层之上；以及电旁路，被耦合在所述第一半传导层与所述第二半传导层之间。

附图说明

在附图中，贯穿不同的视图，相同的参考标号通常指代相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是通常强调图示本发明的原理。在以下描述中，参照以下附图描述本发明的各种实施例，其中：

图1示出包括晶闸管和旁路二极管的当前可用的ESD保护器件；

图2示出包括晶闸管和旁路二极管的当前可用的ESD保护器件；

图3A和图3B分别在示意图中示出根据各种实施例的ESD保护器件和等效电路；

图4示出根据各种实施例的制造竖直集成的半导体器件的方法的示意流程图；

图5A至图5F分别在示意横截面图中示出根据各种实施例的在处理过程中的竖直集成的半导体器件；

图6示出根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法的示意流程图；

图7A至图7H分别在示意横截面图中示出根据各种实施例的在处理过程中的半导体器件；

图8在示意横截面图中示出根据各种实施例的竖直集成的半导体器件；

图9A至图9E分别在示意横截面图中示出根据各种实施例的在处理过程中的半导体器件；

图10A至图10F分别在示意横截面图中示出根据各种实施例的半导体器件；以及

图11在示意横截面图中示出根据各种实施例的竖直的半导体器件。

具体实施方式

下面的详细描述参照附图，附图通过图示的方式示出了其中可以实施本发明的具体细节和实施例。这些实施例以充分的细节被描述，以使得本领域技术人员能够实施本发明。可以利用其它实施例，并且可以在不脱离本发明的范围的情况下进行结构、逻辑和电气上的改变。各种实施例并非一定相互排斥，因为一些实施例可以与一个或多个其它实施例组合以形成新的实施例。结合方法描述各种实施例并且结合器件描述各种实施例。然而，可以理解到的是，结合方法描述的实施例可以类似地应用于器件，并且反之亦然。

这里使用用语“示例性”来意指“作为示例、实例或说明”。这里被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被认为是相对于其它实施例或设计是优选或有利的。

术语“至少一个”和“一个或多个”可以理解为包括大于或等于一的任何整数数目，即，一、二、三、四、……等等。术语“多个”可以理解为包括大于或等于二的任何整数数目，即，二、三、四、五、……等等。