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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有沟槽接触部的过电压保护器件-CN202310283010.X在审
发明人： A·施门;I·格茨;E·泰莱特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有沟槽接触部的过电压保护器件。一种过电压保护器件包括半导体本体、设置在半导体本体的上表面之上的第一接触焊盘和第二接触焊盘、形成在半导体本体中的沟槽式连接件，以及形成在半导体本体中的竖直电压阻挡器件，该半导体本体包括设置在半导体本体的上表面之下的衬底区域，其中沟槽式连接件包括形成在半导体本体的上表面中并且延伸到衬底区域的沟槽以及设置在沟槽内的金属电极，其中金属电极在第一接触焊盘与衬底区域之间形成导电连接，并且其中电压阻挡器件连接在第二接触焊盘与衬底区域之间。
具有沟槽接触过电压保护器件

[发明专利]具有触发器器件的保护器件及其形成方法-CN201610225787.0有效
发明人： V·V·温特;A·施门;D·佐杰卡;J·威勒门 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及具有触发器器件的保护器件及其形成方法。半导体器件包括具有晶闸管的垂直保护器件和布置在衬底中的横向触发器元件。所述横向触发器元件用于触发所述垂直保护器件。
具有触发器器件保护及其形成方法

[发明专利]保护器件-CN201510133448.5有效
发明人： J·戴特尔;A·施门;D·佐杰卡 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：依照本发明的实施例，半导体封装包括裸片焊盘和被布置在该裸片焊盘上的保护器件。保护器件包括布置在衬底中的第一热产生区。第一热产生去被布置在朝向该裸片焊盘的第一侧面。在该第一热产生区处的焊接层连接保护器件与裸片焊盘。
保护器件

[发明专利]竖直集成的半导体器件和制造方法-CN201510824114.2在审
发明人： A·施门;D·佐杰卡 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及竖直集成的半导体器件和制造方法。根据各种实施例的竖直集成的半导体器件可以包括：第一半传导层；第二半传导层，被布置在所述第一半传导层之上；第三半传导层，被布置在所述第二半传导层之上；以及电旁路，被耦合在所述第一半传导层与所述第二半传导层之间。
竖直集成半导体器件制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201410425941.X在审
发明人： T·费舍尔;C·阿伦斯;D·佐杰卡;A·施门 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例，一种用于制造半导体器件的方法可以包括：提供半导体工件，该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域，其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺，并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层，其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用来制造保护结构的方法-CN200810108827.9有效
发明人： A·施门;D·索卡;C·阿伦斯 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种用来制造保护结构的方法，包括：提供具有第一导电类型的掺杂的半导体衬底，在半导体衬底的表面施加具有第二导电类型的掺杂的半导体层，在半导体层的第一区域中形成具有第二导电类型的掺杂的掩埋层，其中所述掩埋层制造在半导体层和半导体衬底之间的结处，在掩埋层上的半导体层的第一区域中形成具有第一导电类型的掺杂的第一掺杂剂区，在半导体层的第二区域中形成具有第二导电类型的掺杂的第二掺杂剂区，在半导体层的第一区域和第二区域之间形成电绝缘，为第一掺杂剂区和第二掺杂剂区形成公共连接装置。
用来制造保护结构方法

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