[发明专利]碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及碳化硅泡沫陶瓷材料，尤其涉及碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法。

背景技术

泡沫陶瓷是一种多孔的陶瓷。其几何结构特征是以呈多变型封闭环的泡沫孔为基本单元，各基本单元相互连接形成的三维连通网络。由于碳化硅具有优异的耐高温、抗氧化、耐酸碱腐蚀、抗热震性能和半导体特性，因此，使用碳化硅制作的泡沫陶瓷具有密度低、比表面积高、气孔率高、机械强度高、化学稳定性高、高温性能高等特点，且热导率、微波吸收能力和导电性能优于一般泡沫陶瓷，这些特性使碳化硅泡沫陶瓷被广泛应用于催化载体、高温过滤、净化吸附、分离、混合、热交换、隔热等方面。

目前，碳化硅泡沫陶瓷主要有以下几种方法制备：有机泡沫浸渍工艺、含硅树脂热解工艺、发泡工艺、模板工艺、溶胶-凝胶工艺、挤出成型工艺、化学蒸气渗透和化学气相沉积工艺，目前也有相关研究针对具体应用结合上述方法，同时采用两种或两种以上的工艺方法。

总体而言，上述工艺各有优缺点，目前能制备出较好性价比的碳化硅泡沫陶瓷的工艺主要是发泡工艺、有机泡沫陶瓷工艺、溶胶-凝胶工艺。其中，发泡工艺原料要求高，发泡工艺控制苛刻；溶胶-凝胶工艺生产率低，且原料同样受到限制，所得微孔较小，主要用于微孔分离膜的制备。

碳化硅泡沫陶瓷的制备，以有机泡沫浸渍法所制产品适应面较广，且生产工艺相对容易控制，因而商品化程度最高。如专利ZL03134039.3、ZL200710139286.1，CN102218293A、CN103011887A分别采用不同的方式以聚氨酯或聚醚酯泡沫塑料为载体制备碳化硅泡沫，但有机泡沫在分解过程中的排气、收缩等过程都产生较大的热应力破坏，且泡沫塑料与陶瓷浆料亲和性欠佳，浆料很难分散在三维网络孔结构中，因此都存在开孔率有限，制备过程尺寸控制难度大、强度偏低等缺点，不仅后加工困难，且产品质量与性价比得不到有效保证。

发明内容

本发明的首要目的是提供一种开孔率高、热解热应力低、与陶瓷浆料亲和性好、可形成炭骨架的基于碳化硅泡沫陶瓷的有机载体。

为了实现上述目的，本发明提供了一种碳化硅泡沫陶瓷的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1，制备一次浸渍剂，所述一次浸渍剂包括将阻燃剂、聚有机硅氧烷和水，阻燃剂、聚有机硅氧烷与水之间质量百分比例为(5wt％-15wt％)：(5wt％-30wt％)：(100wt％)；

步骤S2，将粘胶纤维毡浸渍于所述一次浸渍剂中，通过辊压控制粘胶纤维毡浸的增重量为80-300％，获得一次浸渍毡，所述粘胶纤维毡的纤维直径为2-20μm，密度为0.03-0.16g/，厚度为0.2-30mm；

步骤S3，将一次浸渍毡置于空气气氛或惰性气体气氛中进行脱水，温度在120-320℃，时间为1-10小时，获得有机载体；

步骤S4，制备二次浸渍剂，所述二次浸渍剂为陶瓷浆料；

步骤S5，将所述有机载体浸渍于所述二次浸渍剂中，获得二次浸渍毡；

步骤S6，对二次浸渍毡进行热解，获得碳化硅泡沫陶瓷。。

其中，所述步骤S4中制备二次浸渍剂的步骤包括：

将碳化硅粉末、助烧结剂、有机粘结剂、分散剂和溶剂按比例混合，经机械搅拌后球磨至2.5μm以下，所述碳化硅粉末、助烧结剂、有机粘结剂、分散剂与溶剂之间质量百分比例为(5wt％-30wt％)：(1wt％-5wt％)：(1wt％-15wt％)：(0.1wt％-5wt％)：(100wt％)。

其中，所述步骤S5包括：

将步骤S3得到的所述有机载体浸渍于所述二次浸渍剂中，辊压去除多余液体，然后再在温度为100-200℃的条件下进行干燥，反复多次，直至获得担载量为30-300％的二次浸渍毡。

其中，所述步骤S6包括：

将二次浸渍毡在惰性或真空气氛的保护下热解，升温速率为每分钟1-20℃，升温至1500-2000℃，保温0.5-3小时，获得碳化硅泡沫陶瓷。

其中，步骤S6包括：

将二次浸渍毡在惰性或真空气氛的保护下热解，升温速率为每分钟1-10℃，升温至800-1400℃，保温0.5-3小时，获得多孔毡；

将多孔毡包埋在硅粉中，在惰性或真空气氛的保护下进行渗硅，升温速率为每分钟1-20℃，升温至1500-2000℃，保温0.5-3小时，获得碳化硅泡沫陶瓷。

其中，所述阻燃剂为磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、硫酸铵、氯化铵、硼酸、碳酸铵、乙撑胺、乙醇胺、三乙醇胺中的一种或多种。