[发明专利]可字节寻址的非易失性存储器热插拔方法及装置有效

专利信息
申请号: 201510790111.1 申请日: 2015-11-17
公开(公告)号: CN105260336B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 薛栋梁;黄林鹏;茅志祥;施扬;周纤 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40;G06F13/10
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 孟旭彤
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 移除 存储器 字节寻址 可管理 块设备 非易失性存储器 操作系统 内存设备 虚拟地址 不带电 裸设备 热插拔 映射 体系架构 转换 计算机系统 转化 调度 应用
【说明书】:

发明公开了一种可字节寻址的可字节寻址的非易失性存储器的热插拔方法,包括所述存储器的热添加和热移除;热添加包括物理添加和逻辑添加,热移除包括逻辑移除和物理移除;物理添加用于将所述存储器由不带电的裸设备转化为操作系统可管理的块设备;逻辑添加用于将所述存储器从操作系统可管理的块设备转换为可映射虚拟地址的内存设备;逻辑移除用于将可映射虚拟地址的内存设备转换为操作系统可管理的块设备;物理移除用于将所述存储器从操作系统可管理的块设备转化为不带电的裸设备。本发明提供的方法及装置适合在各种体系架构的计算机系统上对可字节寻址的非易失性存储器资源进行调度和扩展,具有良好的市场前景和应用价值。

技术领域

本发明涉及Persistent Memory的热插拔,具体涉及PersistentMemory热添加和热移除的方法并提供一种热插拔的装置,属于计算机系统结构领域。

背景技术

NV_register:非易失性寄存器

STTRAM:SpinTorque Transfer RandomAccess Memory,旋转转矩传递随机存取存储器

PCM:Phase Change Memory相变存储器

Persistent Memory:非易失性存储器

RRAM:Resistive RandomAccess Memory,阻变式存储器

DRAM:Dynamic RandomAccess Memory,动态随机存储器,即现阶段广泛使用的内存,其特点是断电电后信息丢失,理论上读写寿命不受限制。

DIMM:Dual inline MemoryModule,双列直插式内存模块,是DRAM在主板上的插槽。

PM:PersistentMemory,非易失性内存或持久性内存,STTRAM,PCM,RRAM都属于PM,其特点是断电后信息不丢失,可字节寻找;但读写次数受限制,并且读写不均衡,根据材料的不同,PM写耗费时间大概是其读耗费时间的4到10倍,PM读的时间比DRAM慢1到4倍。

sys文件系统:用于查看和设定基于某种体系结构计算机系统的操作系统内核的参数,并且能够作为统一驱动模型的管理文件系统。

ACPI:Advanced configuration andPower Interface Specification,高级配置与电源接口规范

BIOS:Basic Input Output System,基本输入输出系统

SRAT:System ResourceAffinityTable,是ACPI规范中的一种描述内存资源属性的表。

热插拔技术是计算机系统结构领域系统软件技术方向的热点课题,热插拔技术在不断电的情况下对计算机系统的各种器件进行插拔,现有技术已经实现了中央处理器的热插拔,内存的热插拔以及绝大部分输入输出设备的热插拔。当前,热插拔技术为调整数据中心服务器的资源利用率,虚拟机迁移,节约能耗等诸多方面提供了技术支撑,所以说,高效的热插拔技术对于数据中心的服务器系统的容灾性,扩展性和灵活性有重要价值。

Persistent Memory在近期发展迅速,因其可字节寻找,非易失,能耗低,密度高的优点逐渐成为DRAM的重要补充或替代,但其也存在读写不对称、读写速度较DRAM慢、寿命有限、一致性等问题制约着其发展,随着技术的进步,所述一些问题取得了一些进展。但是,如何对PersistentMemory进行热插拔的问题还没有完备可靠的方案,本发明主要针对Persistent Memory的热插拔问题,提出了热添加和热移除的方法,并提供了一种热插拔的装置,进一步对热插拔问题进行了阐述。

发明内容

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