[发明专利]带遮挡板的限流环装置与化学气相沉积设备及其调节方法有效
申请号: | 201510788966.0 | 申请日: | 2015-11-17 |
公开(公告)号: | CN106702351B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 尹志尧;杜志游;何乃明;李可 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮挡板 限流环 托盘 反应腔 化学气相沉积设备 化学气相沉积 阻挡 反应副产物 高温热辐射 工艺反应 工艺气体 降低功耗 耐热材料 内表面 热辐射 遮蔽 沉积 流场 温场 加热 冷却 流通 | ||
1.一种带遮挡板的限流环装置,其特征在于,包含:
限流环,其环绕设置在托盘的外侧,限流环内包括冷却液管道,所述限流环环绕一气体扩散空间和位于所述气体扩散空间下方且贴近托盘上表面的反应空间;
耐热材料制成的遮挡板,其设置在所述限流环的内侧及托盘的外侧之间,所述遮挡板通过固定装置固定连接到限流环,并且所述遮挡板与其遮蔽的限流环之间存在间隙,所述遮挡板的上表面低于所述限流环的上端面,所述遮挡板环绕所述反应空间,通过该遮挡板将限流环内表面的下部进行遮蔽,以阻挡从托盘到限流环的热辐射,并在所述遮挡板和托盘之间构成引导工艺气体流通的空间,所述引导工艺气体流通的空间形成使反应后气体离开托盘表面的气体流通路径。
2.如权利要求1所述带遮挡板的限流环装置,其特征在于,
所述遮挡板遮蔽了所述限流环中从对应于托盘所在水平位置附近的部位至延伸到托盘下方的部位。
3.如权利要求1所述带遮挡板的限流环装置,其特征在于,
所述遮挡板与限流环之间的固定装置为锁紧螺钉;
所述锁紧螺钉穿透遮挡板连接至限流环或穿透限流环连接至遮挡板。
4.如权利要求1所述的带遮挡板的限流环装置,其特征在于,
所述固定装置由隔热材料制成,或者由锁紧螺钉和隔热衬垫组合制成,使得遮挡板与限流环之间的温度差大于100度,所述隔热材料的导热系数小于0.5w/(m.k)。
5.如权利要求1所述带遮挡板的限流环装置,其特征在于,
所述遮挡板的耐热材料是石英,或陶瓷,或石墨,或钨,或钼。
6.如权利要求1或2所述带遮挡板的限流环装置,其特征在于,
所述引导工艺气体流通的空间,包含:
由限流环在托盘上方延伸部位的内表面所围成的区域,或者由遮挡板在托盘上方延伸部位的内表面所围成的区域,将工艺气体引导至托盘表面;
和/或,由遮挡板对应托盘水平位置附近及延伸到托盘下方部位的内表面与托盘外边缘之间的间隙,形成使反应后气体离开托盘表面的气体流通路径。
7.一种化学气相沉积设备,其特征在于,所述化学气相沉积设备设置的反应腔中,包含如权利要求1~6中任意一项所述的带遮挡板的限流环装置;
所述反应腔中,托盘放置于旋转轴上在工艺处理时由旋转轴带动旋转;
所述托盘上表面设有放置一个或多个晶圆的凹口;所述托盘下方设有加热器;
所述反应腔设有上盖,所述上盖设有供工艺气体进入反应腔内的气体接口,及供冷却液流入限流环内冷却液管道的冷却液接口;所述限流环环绕一气体扩散空间和位于所述气体扩散空间下方且贴近托盘上表面的反应空间;
所述耐热材料制成的遮挡板位于所述限流环的内侧及托盘的外侧之间,所述遮挡板的上表面低于所述限流环的上端面,所述遮挡板环绕所述反应空间,通过该遮挡板将限流环内表面的下部进行遮蔽,以阻挡从托盘到限流环的热辐射;
反应腔内的工艺气体在反应后离开托盘表面,经过形成在遮挡板与托盘之间的空间,向下流到设于反应腔底部的抽气孔。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的