[发明专利]基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种基于局域共振体的声子晶体结构制作方法，其特征在于，该制作方法至少包括如下步骤：

提供一正面设有横截面为倒梯形的凹槽的基底；

沉积绝缘材料，形成覆盖所述基底以及凹槽内壁的绝缘层；

在上述结构上键合固体基板，使得所述固体基板与所述凹槽之间形成空腔；

形成压电薄膜层，覆盖所述固体基板，图形化所述压电薄膜层形成位于固体基板两端的压电元件；

形成金属层，覆盖所述固体基板和所述压电元件，图形化所述金属层形成位于所述压电元件上用于实现声学波激励及检测装置的叉指电极结构；

沉积结构层，覆盖所述固体基板和所述叉指电极结构；

刻蚀所述结构层，定义出局域共振结构，形成位于空腔上方的固体基板上的局域共振型声子晶体结构。

2.根据权利要求1所述的基于局域共振体的声子晶体结构制作方法，其特征在于，所述图形化所述压电薄膜层形成位于固体基板两端的压电元件具体是指旋涂光刻胶、曝光、显影，最后通过刻蚀形成压电元件。

3.根据权利要求1所述的基于局域共振体的声子晶体结构制作方法，其特征在于，所述位于固体基板上的声子晶体结构为周期性排列，其按照晶格分布在所述固体基板上。

4.根据权利要求1所述的基于局域共振体的声子晶体结构制作方法，其特征在于，局域共振声子晶体结构的振动频率与声子晶体结构的高度成反比。

5.根据权利要求1所述的基于局域共振体的声子晶体结构制作方法，其特征在于，设有凹槽的基底材料为硅。

6.根据权利要求1所述的基于局域共振体的声子晶体结构制作方法，其特征在于，在图形化所述压电薄膜层形成压电元件包括形成声学波激励装置的压电元件的同时形成声学波检测装置的压电元件的步骤；在图形化所述金属层形成声学波激励装置的叉指电极结构的同时也形成声学波检测装置的叉指电极结构的步骤。

7.一种基于局域共振体的声子晶体结构，其特征在于：该声子晶体结构包括设有横截面为倒梯形的凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的局域共振型声子晶体结构；所述声子晶体结构由局域共振结构定义。

8.根据权利要求7所述的基于局域共振体的声子晶体结构，其特征在于：所述压电薄膜和形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构构成的声学波激励装置和声学波检测装置分别位于所述声子晶体结构的两侧。