[发明专利]一种印刷型显示器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510764095.9 申请日: 2015-11-11
公开(公告)号: CN105428553B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 陈亚文 申请(专利权)人: 广东聚华印刷显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 510000 广东省广州市中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 印刷 显示 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种印刷型显示器件制作方法,其特征在于,方法包括:

A、在图像化像素电极的TFT基板上形成一层制作像素bank薄膜;

B、在像素bank薄膜上形成一层光阻;

C、通过曝光掩膜对光阻进行曝光,利用显影技术将光阻图案化;

D、通过光阻掩膜对像素bank薄膜进行刻蚀;

E、通过印刷工艺依次沉积各色子像素发光元件,沉积电极,对器件进行封装;

所述步骤A中的bank薄膜采用亲水材料与含氟疏水材料共混或是采用亲水材料与含氟疏水材料及光阻共混;

步骤C中,所述通过曝光掩膜对光阻进行曝光,包括:

对相同颜色子像素相连区域进行半曝光;

对不同颜色子像素相连区域不曝光;

所述步骤D包括:

对像素bank薄膜的半曝光区域进行部分刻蚀,在相同颜色子像素相连区域形成呈亲水性像素bank;

对像素bank薄膜的未曝光区域不刻蚀,在不同颜色子像素相连区域得到呈疏水性像素bank。

2.根据权利要求1所述的印刷型显示器件制作方法,其特征在于,所述步骤C中,在所述利用显影技术将光阻图案化的步骤之前,包括:

通过曝光掩膜对像素发光区域进行全曝光。

3.根据权利要求2所述的印刷型显示器件制作方法,其特征在于,所述步骤D还包括:

通过光阻掩膜对像素bank薄膜的全曝光区域进行全部刻蚀,露出像素电极;

剥离光阻,形成厚度不一的像素bank图案。

4.根据权利要求1所述的印刷型显示器件制作方法,其特征在于,所述步骤E中沉积后的像素bank薄膜中,不同颜色子像素相同区域的墨水沉积区域的厚度为1000nm-3000nm。

5.根据权利要求4所述的印刷型显示器件制作方法,其特征在于,所述步骤E中沉积后的像素bank薄膜中,相同颜色子像素相同区域的墨水沉积区域的厚度为100nm-500nm。

6.根据权利要求5所述的印刷型显示器件制作方法,其特征在于,含氟疏水材料采用聚四氟乙烯。

7.根据权利要求6所述的印刷型显示器件制作方法,其特征在于,像素bank中的像素分别由R、G、B子像素构成,子像素之间呈“品”字形或倒“品”字形排布。

8.根据权利要求7所述的印刷型显示器件制作方法,其特征在于,相邻像素的同颜色子像素排布在一起。

9.一种包含采用按照权利要求1至8任一项所述的制作方法制成的印刷型显示器件。

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