[发明专利]一种可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管及制备方法

权利要求书

1.一种可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，依次包括：阳极，量子点发光层及阴极；所述阳极与量子点发光层之间还包含有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一层或多层，所述量子点发光层与阴极之间还包含有电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的一层或多层；其中，所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层的材料均是由无机半导体材料和有机材料组合而成的复合材料；

所述无机半导体材料的质量百分比为50~90%，所述有机材料的质量百分比为10~50%；

所述复合材料、无机半导体材料及有机材料均是均匀分散材料、团簇分相材料、线分相材料、面分相材料和体分相材料中的一种。

2.根据权利要求1所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，所述无机半导体材料为一种或多种无机半导体材料组合而成的复合无机半导体材料。

3.根据权利要求1所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，所述有机材料为一种或多种有机材料组合而成的复合有机材料。

4.根据权利要求1所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，所述无机半导体材料包括p-型无机半导体材料和n-型无机半导体材料，所述有机材料包括p-型有机材料和n-型有机材料。

5.根据权利要求4所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，所述p-型无机半导体材料为NiO_x、RuO_x、MoS₂、Cr₂O₃、Bi₂O₃、p-型ZnO和p-型GaN中的一种。

6.根据权利要求4所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，所述n-型无机半导体材料为未掺杂ZnO、掺杂Al、Cd、Cs、Cu、Ga、Gd、Ge、In、Li和/或Mg的ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、CdS、ZnSe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaN、GaP、AlN、CdSe、CdS、CdTe、CdZnSe、ZnSnO、InGaZnO、AlZnO、InSnO、WO_x、MoO_x、VO_x及它们的任何合金中的一种。

7.据权利要求4所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，所述p-型有机材料为胺、联苯类三芳胺、噻吩、并噻吩、吡咯、苯胺、咔唑、氮茚并氮芴、酞菁、卟啉及它们的衍生物中的一种。

8.根据权利要求4所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管，其特征在于，所述n-型有机材料为三(8- 羟基喹啉)铝、蒽、菲、芴、二芴、螺二芴、对苯乙炔、三嗪、三唑、咪唑、芘、苝、吩嗪、菲罗啉、反茚并芴、顺茚并、二苯并-茚并芴、茚并萘、苯并蒽及它们的衍生物中的一种。

9.一种如权利要求1~8任一所述的可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、通过蒸镀或者溶液成膜的方式沉积空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一层或多层于阳极上；

B、沉积量子点发光层于步骤A得到的基片上；

C、接着通过蒸镀或者溶液成膜的方式沉积电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的一层或多层于量子点发光层上；

D、最后沉积阴极于步骤C得到的基片上，得到量子点发光二极管。