[发明专利]安装结构体和BGA球有效
| 申请号： | 201510725892.6 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105682374B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 日根清裕;古泽彰男;森将人;中村太一;北浦秀敏 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/34 | 分类号： | H05K3/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 安装 结构 bga | ||
1.一种安装结构体，其具备：
具有BGA电极的BGA；
具有电路基板电极的电路基板；
配置在所述电路基板电极上、与所述BGA电极连接的钎焊接合部，
所述钎焊接合部包含：
含有率为0.6质量％以上且1.2质量％以下的Cu、
含有率为3.0质量％以上且4.0质量％以下的Ag、
含有率大于0质量％并在1.0质量％以下的Bi、
In以及
Sn，其中，
(1)Cu的含有率为0.6质量％以上且0.91质量％以下的范围时，In的含有率为5.3+(6-(1.55×Cu的含有率+4.428))质量％以上且6.8+(6-(1.57×Cu的含有率+4.564))质量％以下，
(2)Cu的含有率大于0.91质量％并在1.0质量％以下的范围时，In的含有率为5.3+(6-(1.55×Cu的含有率+4.428))质量％以上且6.8质量％以下，
(3)Cu的含有率大于1.0质量％并在1.2质量％以下的范围时，In的含有率为5.3质量％以上且6.8质量％以下。
2.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，还具备设于所述电路基板电极和所述BGA电极的至少一侧的表面的Ni镀层，所述Ni镀层和所述钎焊接合部的连接界面的反应层是在Cu6Sn5中含Ni的(Cuy，Ni1-y) 6Sn5层，其中0≤y≤1。
3.一种BGA球，其包含：
含有率为0.6质量％以上且1.2质量％以下的Cu、
含有率为3.0质量％以上且4.0质量％以下的Ag、
含有率大于0质量％并在1.0质量％以下的Bi、
In以及
Sn，
(1)Cu的含有率为0.6质量％以上且0.91质量％以下的范围时，In的含有率为5.3+(6-(1.55×Cu的含有率+4.428))质量％以上且6.8+(6-(1.57×Cu的含有率+4.564))质量％以下，
(2)Cu的含有率大于0.91质量％并在1.0质量％以下的范围时，In的含有率为5.3+(6-(1.55×Cu的含有率+4.428))质量％以上且6.8质量％以下，
(3)Cu的含有率大于1.0质量％并在1.2质量％以下的范围时，In的含有率为5.3质量％以上且6.8质量％以下。
4.一种安装结构体，其具备：
具有BGA电极的BGA；
具有电路基板电极的电路基板；
配置在所述电路基板电极上、与所述BGA电极连接的钎焊接合部，
所述钎焊接合部包含：
含有率为0.6质量％以上且1.2质量％以下的Cu、
含有率为3.0质量％以上且4.0质量％以下的Ag、
In以及
Sn，
(1)Cu的含有率为0.6质量％以上且0.91质量％以下的范围时，In的含有率为5.3+(6-(1.55×Cu的含有率+4.428))质量％以上且6.8+(6-(1.57×Cu的含有率+4.564))质量％以下，
(2)Cu的含有率大于0 .91质量％并在1.0质量％以下的范围时，In的含有率为5.3+(6-(1.55×Cu的含有率+4.428))质量％以上且6.8质量％以下，
(3)Cu的含有率大于1.0质量％并在1.2质量％以下的范围时，In的含有率为5.3质量％以上且6.8质量％以下。
5.根据权利要求4所述的安装结构体，其中，还具备设于所述电路基板电极和所述BGA电极的至少一侧的表面的Ni镀层，所述Ni镀层和所述钎焊接合部的连接界面的反应层是在Cu6Sn5中含有Ni的(Cuy，Ni1-y) 6Sn5层，其中0≤y≤1。
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