[发明专利]一种NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管

权利要求书

1.一种NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由p型NiO:Cu薄膜和n型TiOx薄膜而得到的异质pn结。

2.权利要求1所述NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Cu薄膜和TiOx薄膜形成异质pn结。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：本发明采用NiO:CuO陶瓷靶，磁控溅射工艺制备NiO:Cu薄膜，在此采用氧分压O₂/(O₂+Ar）=0％-100％。

4.溅射前的腔体本底真空度优于3x10^-4Pa，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为100-200W。

5.镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600^oC，退火温度从200^oC变化至700^oC。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：本发明采用TiO₂陶瓷靶，磁控溅射工艺制备TiOx薄膜，在此采用氧分压O₂/(O₂+Ar）=0％-100％。

7.溅射前的腔体本底真空度优于3x10^-4Pa，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为50-200W。

8.镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600^oC，退火温度从200^oC变化至700^oC。

9.权利要求1或2或3或6所述NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：采用溅射法或热蒸发法在pn结上制作电极；其中，NiO:Cu和TiOx表面沉积银，镍，铝或金电极。