[发明专利]光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201510557736.3 申请日: 2015-09-02
公开(公告)号: CN105044955B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 吴俊纬 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G06F3/041;G06F3/042
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 光电 传感器 及其 驱动 方法 阵列 显示装置
【说明书】:

发明提供了一种光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置,该光电传感器包括:光电晶体管、放大晶体管、读出晶体管、复位晶体管和电容,并具有若干输入端;其中,光电晶体管的漏极、放大晶体管的栅极和复位晶体管的源极连接电容的第一端,光电晶体管的源极、读出晶体管的源极、放大晶体管的源极连接高电压输入端;复位晶体管的漏极、放大晶体管的漏极连接低电压输入端;光电晶体管的栅极、读出晶体管的栅极和复位晶体管的栅极各自连接一个输入端。本发明中,设置放大晶体管对写入到电容的电信号进行放大,这样能够在读出阶段,放大所读出的信号的强度,从而提高读取到的信号的信噪比,有助于提高光电检测精度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

当a-Si TFT(薄膜晶体管)暴露在可见光时,会产生较大的光电流。在TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)中,为了保证较低的漏电流,a-Si TFT的沟道需要尽可能遮光,如在背光一侧有金属遮挡背光,在另一侧彩膜玻璃基板有黑矩阵遮挡环境光。实际上,a-Si TFT受不同光强的照射,其漏电流会产生相应的变化,当光照越强,漏电流越大,此电流被称为光电流。

利用a-Si TFT的光电流的特点,可实现光电转换和光学输入。进而可在TFT-LCD上实现集成光学触摸屏,实现显示和触摸一体化制作。

现有技术中的光学触摸屏中的光电传感器如图1所示,由光电TFT T1、读出TFT T3和电容C1构成,光电TFT T1用于将光信号转换为电信号;电容C1用于维持电信号的稳定;读出TFT T3用于将电信号读取到外电路以便下一步处理。实际应用中,读出TFT的漏极连接到一根读取线上,该读取线一般还会连接其他读出TFT,在对当前的光电传感器进行电信号读出时,其他读出TFT虽然被导通时实际上也会产生一定的漏电流,这样会产生噪声,这样可能会导致无法正确检测到对应位置是否有触控。

发明内容

本发明的一个目的是提高读取线检测到的电信号的信噪比。

第一方面,本发明提供了一种光电传感器,包括:光电晶体管、放大晶体管、读出晶体管、复位晶体管和电容,并具有若干输入端;其中,所述光电晶体管的漏极、所述放大晶体管的栅极和所述复位晶体管的源极连接所述电容的第一端;所述光电晶体管的源极、所述读出晶体管的源极连接高电压输入端;所述复位晶体管的漏极、所述放大晶体管的漏极连接低电压输入端;所述光电晶体管的栅极、所述读出晶体管的栅极和所述复位晶体管的栅极各自连接一个输入端。

进一步的,所述读出晶体管和所述复位晶体管的导通电平相同。

进一步的,各个晶体管均为N型晶体管。

进一步的,所述光电晶体管的栅极连接所述低电压输入端。

进一步的,所述电容的第二端连接所述低电压输入端。

进一步的,所述光电晶体管替换为光电二极管,所述光电二极管的阳极连接所述电容的第一端,阴极连接所述高电平输入端。

第二方面,本发明提供了一种阵列基板,包括基底以及形成在基底上的多条栅极和多条数据线,所述多条栅线和所述多条数据线将阵列基板划分为多个像素区域;还包括:

形成在基底上的光电传感器,所述光电晶体管为上述任一项所述的光电传感器。

进一步的,所述读出晶体管和所述复位晶体管的导通电平相同,每一个光电传感器设置在相邻两行的栅线之间;其中的读出晶体管的栅极所连接的输入端连接相邻两行栅线的上一行栅线,适于在该栅线上施加栅极扫描脉冲时导通;复位晶体管的栅极所连接的输入端连接相邻两行栅线的下一行栅线,适于在该栅线上施加栅极扫描脉冲时导通。

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