[发明专利]光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201510557736.3 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN105044955B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 吴俊纬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G06F3/041;G06F3/042 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 及其 驱动 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种光电传感器,其特征在于,包括:光电晶体管、放大晶体管、读出晶体管、复位晶体管和电容,并具有若干输入端;其中,所述光电晶体管的漏极、所述放大晶体管的栅极和所述复位晶体管的源极连接所述电容的第一端;所述光电晶体管的源极、所述读出晶体管的源极和所述放大晶体管的源极连接高电压输入端;所述复位晶体管的漏极和所述放大晶体管的漏极连接低电压输入端;所述电容的第二端连接所述低电压输入端;所述光电晶体管的栅极、所述读出晶体管的栅极和所述复位晶体管的栅极各自连接一个输入端。
2.如权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述读出晶体管和所述复位晶体管的导通电平相同。
3.如权利要求2所述的光电传感器,其特征在于,各个晶体管均为N型晶体管。
4.如权利要求3所述的光电传感器,其特征在于,所述光电晶体管的栅极连接所述低电压输入端。
5.如权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述光电晶体管替换为光电二极管,所述光电二极管的阳极连接所述电容的第一端,阴极连接所述高电平输入端。
6.一种阵列基板,其特征在于,包括基底以及形成在基底上的多条栅极和多条数据线,所述多条栅线和所述多条数据线将阵列基板划分为多个像素区域;还包括:
形成在所述基底上的光电传感器,所述光电传感器为如权利要求1-5任一项所述的光电传感器。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述光电传感器为如权利要求2所述的光电传感器,每一个光电传感器设置在相邻两行的栅线之间;其中的读出晶体管的栅极所连接的输入端连接相邻两行栅线的上一行栅线,适于在该栅线上施加栅极扫描脉冲时导通;复位晶体管的栅极所连接的输入端连接相邻两行栅线的下一行栅线,适于在该栅线上施加栅极扫描脉冲时导通。
8.一种用于驱动如权利要求1-5任一项所述的光电传感器的方法,其特征在于,包括:
在读出阶段,在所述读出晶体管的栅极所连接的输入端施加控制信号使所述读出晶体管导通;
在复位阶段,在所述复位晶体管的栅极所连接的输入端施加控制信号使所述复位晶体管导通。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6或7所述的阵列基板。
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