[发明专利]一种氧化铝掺杂制备低损耗稳定铌酸钕陶瓷

权利要求书

1.一种氧化铝掺杂制备的低损耗稳定铌酸钕陶瓷，其组成为NdNbO₄-xAl₂O₃，1％≤x≤4％；

上述低损耗稳定铌酸钕陶瓷的制备方法，具有以下步骤：

(1)将Nd₂O₃、Nb₂O₅原料，按化学式NdNbO₄进行配料；按原料：去离子水：磨球＝1:16:15的比例加入聚酯罐中，球磨6～12小时；

(2)将步骤⑴球磨后的原料置于干燥箱中于80～130℃烘干，过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；

(3)将步骤⑵颗粒均匀的粉料在900～1000℃预烧4小时；

(4)在步骤⑶煅烧后的粉料放入聚酯罐中，外加质量分数为x＝1％-4％的氧化铝与预烧后的粉料混合，然后加入去离子水和氧化锆球，球磨6-8小时；烘干后在粉料中外加重量百分比含量为6～8％的石蜡作为粘合剂进行造粒，过80目筛，再用粉末压片机成型为坯体，再将坯体于1100～1175℃烧结，保温2～5小时，制得铌酸钕微波介质陶瓷；

(5)测试制得的铌酸钕微波介质陶瓷的微波介电性能。

2.根据权利要求1的一种氧化铝掺杂制备的低损耗稳定铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的Nd₂O₃、Nb₂O₅原料的纯度大于99.9％。

3.根据权利要求1的一种氧化铝掺杂制备的低损耗稳定铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(3)预烧温度为900℃。

4.根据权利要求1的一种氧化铝掺杂制备的低损耗稳定铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的x＝3％。

5.根据权利要求1的一种氧化铝掺杂制备的低损耗稳定铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的烧结温度为1150℃，保温4小时。

6.根据权利要求1的一种氧化铝掺杂制备的低损耗稳定铌酸钕陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的压片机的工作压强为7MPa，坯体规格为Φ10mm×5mm的圆柱体。